发光二极管电子辐照效应的研究

研究电子辐照对发光二极管(Light emitting diode,LED)性能的影响。利用电子加速器提供的电子束模拟空间电子辐射环境,试验时电子的能量是1.0 MeV,辐射最大剂量为1×106rad(Si)。辐照期间,采用异位测试的方法进行光学量和电学量的测量,并进行辐射后退火效应的研究。结果表明:随着辐照剂量的增加,LED的输出光功率近似线性衰减,其正向压降V增大,且不同的试验条件对LED性能损伤的程度不同。此外,辐射停止后的一段时间,器件的性能有所恢复,并趋于稳定。同时利用电子辐照机理对试验结果进行理论分析和讨论。

大尺寸ZnGeP_2晶体生长与中红外光参量振荡

采用垂直布里奇曼方法生长了ZnGeP2单晶体,晶体毛坯尺寸达30 mm×120 mm。晶体在2.05μm吸收系数0.05cm-1,3-8μm吸收系数0.01 cm^-1,光损伤阈值2.0±0.3 J/cm2。利用2.05μmTm,Ho∶CdVO4激光器为泵浦源,脉冲重复频率10 kHz。当泵浦功率16.3 W时,3-5μm光参量振荡输出8.7 W,光-光转换效率为53%,斜率效率为64%。

收发光波长差异产生的反常声光偏转器指向偏差

从求解描述反常声光相互作用几何关系的Dixon方程出发,得到了具体参数下的一组较优的入射角和衍射角。根据实际应用系统的需求,分析了包括TeO2晶体在PAT系统光路中的放置方向及其端面切割角度等在内的参数,设计了一种收发光波长均为800 nm的反常AOD模型结构。基于此结构,分析了发射光波长取800~830 nm时,由收发光波长差异所产生的指向偏差。结果表明：830 nm的发射光在超声波中心频率f0=101 MHz处的指向偏差可达-4.981 7 mrad。因此,提出采用收发分离式PAT系统来避免此种指向偏差。

超声吸收引起的声光偏转器指向偏差研究

分别在不考虑晶体超声吸收及考虑超声吸收和超声功率角分布的情况下,建立了声光互作用方程。运用空间傅里叶变换方法推导出衍射光场与入射光场在空频域下的传递函数。仿真结果表明,超声吸收使得衍射光光强峰值位置偏离光束中心,光强不再呈高斯分布,会引起卫星光通信发射端的指向偏差。通过研究超声功率和频率与衍射光光强分布的关系发现,超声功率选取某一数值时可以消除峰值位置偏差,将此功率值定义为最优超声功率Popt。求出声光偏转器整个工作频带内的Popt并进行多项式拟合,得到了最优超声功率与超声频率的关系。按照该多项式关系同步调节超声频率与功率可以补偿超声吸收引起的指向偏差。

高品质ZnGeP_2晶体光参量振荡元件及应用

在高纯ZnGeP2多晶批量合成基础上,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸（40~50）mm×140 mm的高品质单晶。切割出多种6 mm×6 mm×（16~30）mm规格的晶体元件,元件o偏振光2.05μm吸收系数为0.01~0.03cm-1,通过光参量振荡技术实现中波（3~5μm）40 W和远波（8~10μm）3 W的激光输出。

S_(10)、S_(11)和S_(12)结构的半经验分子轨道方法研究

主要用AM 1半经验分子轨道方法对S1 0 、S1 1 和S1 2 的几何结构进行了计算 ,并比较了不同构型的稳定性。