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题名一种新型的CMOS亚阈值低功耗基准电压源
被引量:4
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作者
孙宇
肖立伊
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机构
哈尔滨工业大学微电子学与固体电子学中心
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2012年第6期51-56,60,共7页
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文摘
利用工作于亚阈值的NMOS器件,产生两个负温度系数的电压源,然后将两个电压源作差,产生稳定的基准电压输出.整体电路采用HJTCl80 nrn标准CM()S工艺实现.仿真结果表明,基准源输出电压为220 mV,在一25℃到100℃的温度范围内的温度系数为68×10^(-6)/ C.电路的最小供电电压可低至O.7 V,在供电电压O.7~4V范围内的线性调整率为1.5 mV/V.无滤波电容时,1 kHz的电源抑制比为-56 dB室温下,1.O V电压供电时,电路总体功耗为3.7μW.版图设计后的芯片核心面积为O.02 mm^2.本文设计的电压源适用于低电压低功耗的条件.
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关键词
CMOS
亚阈值
低电压
低功耗
基准电压源
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Keywords
CMOS
subthreshold
low voltage
low power
voltage reference
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分类号
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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