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Sb/Se薄膜的晶化特性研究
被引量:
2
1
作者
鲍海飞
叶水驰
+4 位作者
兰慕杰
袁保红
何代义
周士仁
王骐
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期337-340,共4页
对以Se为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾.利用热蒸发的方法制备了单层的Se、Sb膜、含Sb的Se膜以及Sb/Se双层薄膜.利用X射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性,用光学显微镜观察了薄膜退火前后的表面形...
对以Se为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾.利用热蒸发的方法制备了单层的Se、Sb膜、含Sb的Se膜以及Sb/Se双层薄膜.利用X射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性,用光学显微镜观察了薄膜退火前后的表面形貌,发现双层膜表面出现较多的裂纹。
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关键词
硒
锑
半导体薄膜技术
下载PDF
职称材料
题名
Sb/Se薄膜的晶化特性研究
被引量:
2
1
作者
鲍海飞
叶水驰
兰慕杰
袁保红
何代义
周士仁
王骐
机构
哈尔滨工业大学航天学院微电子技术系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期337-340,共4页
文摘
对以Se为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾.利用热蒸发的方法制备了单层的Se、Sb膜、含Sb的Se膜以及Sb/Se双层薄膜.利用X射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性,用光学显微镜观察了薄膜退火前后的表面形貌,发现双层膜表面出现较多的裂纹。
关键词
硒
锑
半导体薄膜技术
Keywords
Crystallization
Thin films
X ray diffraction
分类号
TN304.13 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Sb/Se薄膜的晶化特性研究
鲍海飞
叶水驰
兰慕杰
袁保红
何代义
周士仁
王骐
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
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职称材料
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