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Sb/Se薄膜的晶化特性研究 被引量:2
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作者 鲍海飞 叶水驰 +4 位作者 兰慕杰 袁保红 何代义 周士仁 王骐 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期337-340,共4页
对以Se为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾.利用热蒸发的方法制备了单层的Se、Sb膜、含Sb的Se膜以及Sb/Se双层薄膜.利用X射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性,用光学显微镜观察了薄膜退火前后的表面形... 对以Se为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾.利用热蒸发的方法制备了单层的Se、Sb膜、含Sb的Se膜以及Sb/Se双层薄膜.利用X射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性,用光学显微镜观察了薄膜退火前后的表面形貌,发现双层膜表面出现较多的裂纹。 展开更多
关键词 半导体薄膜技术
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