ZnO及Ag/ZnO纳米薄膜的制备及电学性质研究

利用磁控溅射技术制备了ZnO纳米薄膜(ZnO NFm)和Ag复合ZnO纳米薄膜(Ag/ZnO NFm),并对其表面形貌、微观结构、组分和电学性能进行了研究.结果表明,Ag/ZnO纳米薄膜中大多数Ag以Ag_(x)O_(y)或合金的形式存在,由于Ag替位ZnO中的Zn^(2+)造成了衍射角的偏移.同时,ZnO纳米薄膜、Ag/ZnO纳米薄膜呈现出沿C轴择优生长特点.Ag的复合使得ZnO纳米薄膜的霍尔迁移率由160 cm^(2)·V^(-1)·S^(-1)增加至673 cm^(2)·V^(-1)·S^(-1)、电阻率由2.329×10^(-4)Ω·cm减小为1.018×10^(-4)Ω·cm、载流子浓度由1.68×10^(20)降低为+9.12×10^(19) cm^(-3).可见,Ag/ZnO复合纳米薄膜在构建多功能电学器件领域中具有很好的应用前景.

溅射压强对WSe_(2)纳米薄膜形貌及光电性能的影响

采用射频(RF)磁控溅射技术在Si(100)衬底上制备WSe_(2)纳米薄膜,研究在不同制备压强(2.0、2.5、3.0 Pa)下WSe_(2)纳米薄膜的形貌及光电性质变化.采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、光致发光谱(PL)、霍尔效应等测试对薄膜样品进行基本性质表征.SEM测试结果表明:溅射压强的改变对薄膜形貌有显著影响,随着压强的增加“蠕虫”状结构更加明显.进一步研究WSe_(2)的生长取向,XRD测试结果表明WSe_(2)薄膜在(008)晶面优先生长,证明压强的不同会改变WSe_(2)的晶体结构,提高其结晶性和光吸收特性.此外电学性能测试表明,WSe_(2)纳米薄膜的载流子浓度和霍尔系数可以通过改变压强来调节.体现了磁控溅射技术制备的WSe_(2)具有可控性好,易于重复等优点,在构建多功能WSe_(2)器件领域中具有很好的应用前景.