PDP制作中的曝光技术

随着等离子显示器(PDP)制作技术的逐渐成熟,光刻技术在PDP的制作中也越来越重要。本文论述了在PDP制作中影响曝光质量的有关因素,从曝光的主要影响因素进行阐述,并结合实例进行了分析论证。

等离子显示屏制作中曝光间隙对图形结果的影响

在等离子显示屏制作中，采用平行光进行曝光，曝光时母版和玻璃基板的间隙对图形结果有一定的影响。本文以实例分析论述了曝光间隙对线条图形的具体影响，对等离子显示屏设计时的参数修正有一定的参考意义．

氧化镁陶瓷的烧结工艺研究

以硝酸镁、碳酸氢氨为原料,采用均相沉淀法制备碱式碳酸镁,经过不同温度煅烧制得MgO粉体,将粉体压制成型后,经不同温度下烧结,制备MgO陶瓷。TG-DTA、XRD和SEM分析结果表明:碱式碳酸镁的最佳煅烧温度为750℃左右,所制得的MgO粉体的晶粒大小为22.25 nm。MgO陶瓷最佳烧结温度为1500℃,所得到的陶瓷结构致密、气孔较少、收缩率较高、透光性最好。随着烧结温度的升高,MgO陶瓷中的晶粒有沿(200)晶面择优生长的趋势。