材料生态循环评估体系(LCA)的技术框架

简要介绍了材料生态循环评估(LCA)的技术框架,同时介绍了材料生态循环评估的实施方法及一些评估表征方法。

材料生态循环评估体系(LCA)

材料的生态循环评估是国际上正在兴起并迅速发展的新材料研究中的新领域。概述了这一新领域的研究进展,介绍了生态循环评估的概念,主要研究内容和研究现状,并讨论了几个相关的问题。

加强基础 注重应用 建设好面向二十一世纪的材料物理专业课程体系

一、引言 材料是人类社会进步的基石与里程碑。高技术新材料是国民经济的基础和先导。新材料的研制、开发与应用的水平和能力是衡量一个国家综合实力的重要标志之一。面向21世纪,人们已经充分认识到信息、能源和新材料将成为各国高新技术和综合实力竞争的重要科技领域。因此,有预见地针对21世纪材料科学与工程的发展,培养高质量。

材料生态循环评估体系(LCA)的应用与展望

介绍了材料生态循环评估体系(LCA)和应用范围及其局限性。并展望了LCA今后的发展趋势。

铌酸盐系无铅压电陶瓷的研究与进展——无铅压电陶瓷20年专利分析之四

综合分析和评述了近20年的铌酸盐系无铅压电陶瓷发明专利,着重介绍了主要的铌酸盐系无铅压电陶瓷相关体系及其压电铁电性能和制备工艺技术,并展望了铌酸盐系无铅压电陶瓷今后研究和发展的几个方面。特别是对NaNbO3、Sr2NaNb5O15体系以及相关钨青铜结构体系的改性、复合和理论研究,提出了具体的建议。

室温半导体核辐射探测器新材料及其器件研究

本文论述了室温半导体核辐射探测器新材料及其探测器的研究发展过程和最新动态,分别介绍了几种主要室温半导体核辐射探测器新材料晶体的组成、结构、性能及其探测器的制备技术,主要应用情况。结果表明:HgI2、CdZnTe和CdSe单晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料,用其制作的探测器,可在室温下广泛用于环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核武器突防、航空航天、天体物理和高能物理等领域。因此,近年来对大尺寸高质量HgI2、CdZnTe和CdSe单晶体及其室温核辐射探测器的研究,已成为高技术新材料领域的前沿研究课题。

软溶液工艺(SSP)在先进无机材料领域的应用及进展

软溶液工艺 (softsolutionprocessing简记为SSP)是近年国际上发展起来的先进无机材料制备的重要工艺技术 ,也是具有环境协调性的工艺技术。本文概述了软溶液工艺技术的基本原理、特点及其在先进无机材料制备中的应用和发展。重点介绍软溶液工艺的几种技术 (包括水热技术、电化学技术 )及其在先进无机材料制备中的应用原理、范围和特点 ,指出水热电化学技术是很有发展前景的软溶液工艺 。

两温区气相输运和机械振荡合成ZnGeP_2多晶材料

ZnGeP2多晶的合成是其单晶生长的前提和基础,多晶材料的质量是生长高质量单晶的关键。因此,要获得高质量的ZnGeP2单晶体,必须提供高质量的ZnGeP2多晶材料。对两温区气相输运机械振荡法合成ZnGeP2多晶材料的工艺进行了研究,利用高纯(6N)P、Ge、Zn单质为原料,采用两温区气相输运和机械振荡合成出了ZnGeP2多晶材料。合成出的多晶材料经比重测试和X射线粉末衍射测试证明与标准值一致。采用改进的布里奇曼法生长出外观完整、无裂纹的15mm×25mm单晶体,在2.5～10μm范围内红外透过率达50%以上。

从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能,以Pb(Ti,Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考,分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外,还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。

两温区气相输运温度振荡法合成AgGaS_2多晶材料

根据对Ag2S-Ga2S3赝二元相图的分析,采用同成分点配料,分别采用一种新方法———两温区气相输运温度振荡法和普通气相输运法合成AgGaS2多晶材料。通过XRD对合成AgGaS2多晶的分析,结果发现:新方法合成的原料纯度及均匀性优于普通气相输运法合成的样品。晶体生长实验表明:新方法合成的AgGaS2多晶材料生长出的单晶外观完整、无裂纹,红外透过率达67%,而普通气相输运法合成的多晶材料生长出的单晶体红外透过率36%。因此,两温区气相输运温度振荡法是合成高质量AgGaS2多晶材料的一种较好的新方法。

铁电致冷材料及其应用

利用铁电材料的电热效应（即逆热释电效应）可以制作新型致冷器。近年的研究进展表明，铁电致冷有可能发展成为一种新型的室温致冷技术。本文扼要介绍了铁电致冷的基本原理、可行性，以及铁电致冷材料和相关技术的发展，并展望了铁电致冷材料的发展前景。

纳米级SiO_2填充PVC/CPE复合材料研究

In this paper the toughening mechanism of PVC/CPE filled with nanoscale SiO 2 and the effects of nanoscale SiO 2 and common SiO 2 contents on properties of PVC/CPE were studied.The experimental results showed PVC/CPE/SiO 2 had excollent notched impact strength and tensile strength when nano SiO 2 content was 6 per cent to 12 per cent.Local SiO 2 had no obvious toughening effect on PVC/CPE,but made the tensile strength and elongation at break of PVC/CPE decreased obviously.

（Bi0．5Na0．5）1-χ（BaaSrb）χTiO3无铅压电陶瓷体系的设计、制备与性能

综合考虑(Bi0．5Na0．5)TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷的A-位、B-位原子的原子量差、离子半径差和电负性差，提出了一种BNT基无铅压电陶瓷的设计方法。依据BNT基无铅压电陶瓷所报道的相关数据，定义了ABO3型压电陶瓷的综合因子F(ω)为F(ω)=|M|+|R|+100|χ|，式中，M为A-位和B-位离子的质量差，R为A-位和B-位离子的离子半径差，χ为A-位和B-位离子的电负性差。研究发现，F(ω)与BNT基无铅压电陶瓷的压电耦合系数κ33和kp，以及压电常数d33有非常紧密的关系。根据该方法设计了(Bi0．5Na0．5)1-χ(BaaSrb)χTiO3无铅压电陶瓷新体系，并申报了国家发明专利。研究结果表明，该体系压电陶瓷具有很好的工艺特性和压电响应，高的压电常数，其机电耦合系数kp为0．311，压电常数d33高达146pC／N，居里温度Tc为310℃，是一种很有实际应用前景的新型压电陶瓷材料体系。

温湿度智能数据采集控制系统的研制

叙述了一个温、湿度智能数据采集控制系统的研制。该系统通过温度、湿度传感器采集温度及湿度信号 ,并通过A/D转换电路转换成数字信号输入计算机 ,计算机处理后向温度、湿度控制电路输出数字控制信号。其中 ,A/D转换电路与计算机和控制电路的接口制作在一个数据采集 -控制卡上。着重阐述了该卡的设计和制作 ,该卡不但能应用于温、湿度智能控制系统 ,而且还能广泛用于其它各种自动控制系统。

CdSe纳米材料化学制备方法的研究

作者通过对CdSe纳米材料化学制备方法的综合评述 ,对CdSe纳米线阵列的制备和性质进行了初步研究 .

铌酸盐系高温无铅压电陶瓷及器件应用研究

随着现代科学技术的飞速发展和人类环保意识的加强,具有优良性能的高居里温度的铌酸盐系无铅压电陶瓷已成为当前研究的热点。对国内外铌酸盐系无铅压电陶瓷的研究工作进行介绍和评述,详细分析稀土元素的取代与掺杂、新组元以及制备工艺对陶瓷性能的影响,重点分析铌酸盐系高温压电陶瓷及器件应用前景,最后对比传统PZT基压电陶瓷的应用,提出如何进一步改善该体系陶瓷性能的方案。

(Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3系无铅压电陶瓷特性与原子组成的关系

整体考虑ABO3型钙钛矿结构压电陶瓷中的A位和B位离子的离子半径、原子量和电负性对压电陶瓷特性的影响,定义了一个包含有A-位和B-位离子的质量差M、离子半径差R及电负性差X有关的综合因子F(w),该因子与自发极化密切相关。研究了(Bi0.5Na0.5)TiO3基压电陶瓷的压电性能与F(w)的关系发现,机电耦合系数k33、kp随着F(w)的增加而相应增大,当F(w)为160～165时,kp增加迅速,其后增加缓慢;F(w)与k33则近似直线关系。

通过退火研究ZnGeP_2晶体中点缺陷与红外透过率的关系

以富P2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和I-V曲线表明,生长的ZnGeP2晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×106Ω.cm。经定向切割后,得到10mm×10mm×2mm的ZnGeP2晶片,分别置于高纯红磷和ZnGeP2同成分粉末的氛围,在550℃进行退火处理。结果表明,P气氛中退火,晶片红外透过率的提高不明显;而在ZnGeP2粉末包裹氛围中退火,晶片的红外透过率在短波范围内得到了有效提高,在2～10μm波段则提高到近60%左右,说明VZ-n对该条件下生长的ZnGeP2单晶红外透过率影响较大,而V0P的影响较小。

对红外非线光学材料硫镓银(AgGaS_2)晶体形貌的观察研究

用改进的Bridgman法 ,生长出了 1 5mm× 2 0mm的红外非线性光学晶体硫镓银 .采用蚀象法 ,观察了该晶体腐蚀条纹 ,其结果与现有报道结果一致 .通过实验 ,观察到了规则整齐的蚀坑 ,并对其内部形貌进行了初步研究 .

钪酸铋基高温压电材料的研究与进展

钪酸铋基压电材料因其优异的性能及高的居里温度,近年来受到各国学者的极大关注。结合近年来有关高温压电材料(居里温度Tc>400℃)的研究,归纳并分析了钪酸铋基高温压电材料的研究与进展,着重介绍了钪酸铋基高温压电材料的主要体系和制备方法,以及这些体系的压电铁电性能;此外,还对钪酸铋基高温压电材料今后的研究和发展提出了一些建议。