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7.5~9.5GHz AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管
被引量:
2
1
作者
王帅
陈堂胜
+3 位作者
张斌
李拂晓
陈辰
龚敏
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期159-162,206,共5页
报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5~9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值为30%,功率增益大于6dB,带内增益平坦度为±0.4dB,带内最大输出功率为6W。
关键词
铝镓氮/氮化镓
高电子迁移率晶体管
内匹配
下载PDF
职称材料
题名
7.5~9.5GHz AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管
被引量:
2
1
作者
王帅
陈堂胜
张斌
李拂晓
陈辰
龚敏
机构
四川大学物理科学与技术学院微电子学四川省重点实验室
单片集成电路及模块国家
重点
实验室
南京
电子
器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期159-162,206,共5页
文摘
报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5~9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值为30%,功率增益大于6dB,带内增益平坦度为±0.4dB,带内最大输出功率为6W。
关键词
铝镓氮/氮化镓
高电子迁移率晶体管
内匹配
Keywords
AlGaN/GaN
HEMT
internal matching
分类号
TN12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
7.5~9.5GHz AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管
王帅
陈堂胜
张斌
李拂晓
陈辰
龚敏
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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