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7.5~9.5GHz AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管 被引量:2
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作者 王帅 陈堂胜 +3 位作者 张斌 李拂晓 陈辰 龚敏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期159-162,206,共5页
报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5~9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值为30%,功率增益大于6dB,带内增益平坦度为±0.4dB,带内最大输出功率为6W。
关键词 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 内匹配
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