高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理

研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制．实验中利用不加磁分析器的离子注入机，采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge^＋和Ge^2＋双电荷离子并存的单束双能离子注入方法，制备了10^16～10^18cm^-2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品．用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在，并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量．通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸．用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布，与实验结合，得到纳米晶形成的物理机制，即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge^＋和Ge^2＋相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关．

18 MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响

研究了用HZ B串列加速器的18MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响,辐照在奥氏体母相状态下进行。示差扫描量热法(DSC)表明,辐照后R相变开始温度TsR和逆马氏体相变结束温度TfA随辐照注量的增加而降低。当注量为1.53×1014/cm2时,TsR和TfA分别下降6K和13K,辐照未引起R相变结束温度TfR和逆马氏体相变开始温度TsA的变化。表明辐照后母相(奥氏体相)稳定。透射电镜(TEM)分析表明辐照后没有引起合金可观察的微观组织变化。辐照对R相变开始温度TsR和逆马氏体相变结束温度Af的影响可能是由于质子辐照后产生了孤立的缺陷团,形成了局部应力场,引起晶格有序度的下降所造成的。

热处理及训练对NiTi形状记忆合金弹簧双向记忆效应的影响

形状记忆合金作为双程驱动元件时通常是与一偏压元件同时使用来实现双程驱动[1,2 ] 。本文通过不同热处理制度对Ti Ni形状记忆合金的弹簧相变点和形状恢复率的影响以及训练次数对形状恢复率的影响研究 ,以期获得性能良好的双向记忆合金弹簧单独作为双向驱动元件的最佳处理条件。结果表明经 4 5 0℃热处理并经过 2

研究堆低压电气贯穿件的密封性能

电气贯穿件的密封性能直接关系着整个反应堆的安全性能。为了使电缆贯通式的电气贯穿件能满足研究堆设计文件的密封性能要求,首先分析了贯穿件筒体和电缆密封的难点,针对遇到的难点,分别采取了法兰挤压硅橡胶板和电缆芯线灌胶密封的方法,对贯穿件的缝隙进行密封。利用氦质谱仪器,对低压电气贯穿件样机和电缆进行了密封检测实验,实验结果表明,电缆贯通式的低压电气贯穿件密封结构能满足研究堆的密封要求。

电子束在VO_2薄膜中引起的价态、相结构和光学性能的改变

利用能量为 1 .7Me V,注量分别为 1 .2 5× 1 0 13 /cm2 ,1 .2 5× 1 0 14 /cm2 ,1 .2 5× 1 0 15/cm2 的电子束辐照 VO2 薄膜 ,采用 XPS,XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并研究了电子辐照对样品相变过程中光透射特性的影响。结果表明电子辐照引起 VO2 薄膜中 V离子出现价态变化现象 ,并使薄膜的 X射线衍射峰发生变化。电子辐照在样品中产生的这些变化显著改变了 VO2

VO_2薄膜γ辐照过程的变价和退火现象

对ＶＯ２薄膜进行不同剂量的γ辐照处理，利用ＳＥＭ和ＸＰＳ对辐照前后的薄膜进行分析，发现γ辐照诱导Ｖ离子出现不同价态之间的转变现象，并且价态变化的程度和方向与辐照剂量有关；较低剂量γ辐照在薄膜表面造成显著损伤，当辐照剂量增大时，γ射线在ＶＯ２薄膜中产生退火效应，使薄膜表面质量得到改善。辐照后的ＶＯ２薄膜光透射特性测试结果与上述结论相合，对辐照诱导的价态变化和退火效应的机理进行了讨论。

γ射线辐照引起的VO_2薄膜结构和相变光学特性变化

利用剂量为 35kGy - 35 0 0kGy的Co60 源辐照VO2 薄膜 ,对辐照后薄膜进行XRD和激光Raman光谱测试。结果表明 ,较低剂量 辐照后VO2 薄膜出现较显著的晶态变差现象 ,而高剂量 辐照则在薄膜中产生退火效应 ,使薄膜晶态变好。由此引起VO2 薄膜的热致相变的光学特性、特征Raman峰的强度和位置随 辐照剂量的增加而出现变化。根据 射线与物质相互作用原理对

MgAl_2O_3透明陶瓷正电子湮没寿命谱的研究

作者采用正电子湮没寿命谱的方法 ,研究了Mg -Al尖晶石透明陶瓷经电子和质子辐照处理后的缺陷情况 ,以及在γ射线辐照下 ,其缺陷情况随γ射线剂量的变化规律 ;并研究了该样品的退火特性 .发现电子辐照样品时所产生的正离子空位 ,在注量大于 1× 1 0 1 6/cm2 时还可能存在F心 .质子辐照样品时 ,在较小注量下即能造成较多的损伤缺陷 .样品中的缺陷随着γ辐照剂量的增加出现三个阶段 .经质子和γ辐照后进行退火出现缺陷分解现象 .说明辐照后的样品中存在复杂的缺陷结构 .

高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究

报道了分别采用剂量为 1× 1 0 1 6 ,1× 1 0 1 7,5× 1 0 1 7和 1× 1 0 1 8cm- 2的高剂量 Ge离子注入 ,不需退火即可在 Si O2中直接形成 Ge纳米晶的新现象 .采用掠入射 X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析 .结果表明 ,高剂量 Ge离子注入可在 Si O2 薄膜中直接形成 Ge纳米晶 (nc- Ge) ;非晶态 Ge向晶态 Ge发生相变的阈值剂量约为 1× 1 0 1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的 nc- Ge内部具有较大压应力 ,随着注入剂量的提高 ,nc- Ge的尺寸和含量均有提高 .对纳米晶形成机理的研究认为 ,在 Ge离子注入剂量达到阈值 ,此时膜中 Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和 ,新入射的 Ge离子把动能传递给膜中的非晶态 Ge原子 ,使其部分析出并团聚形成能量最低且最稳定的

GaAsX射线探测器及其电子辐照改性的研究

研制出了 1种双微带结构的GaAsX射线探测器 ,该种探测器具有良好的探测性能 .通过对本征GaAs探测器和经过 1 6MeV电子辐照的探测器的X脉冲响应的测量 ,及对其响应时间、后沿下降时间和半高宽 (FWHM)的对比研究结果显示 ,经电子辐照后的探测器的性能得到了明显的改善 .

Ga掺杂^(70)Ge纳米晶的制备与研究

通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂^(70)Ge(锗)纳米晶,并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)、激光拉曼散射谱(LRS)的测量与研究。结果表明:随着Ga杂质浓度的增加,580 nm附近的荧光峰的发光强度不断地下降,这可能是非辐射的俄歇复合过程与纳米晶数量的减少共同作用的结果。此外,从PL上面看到580nm附近的荧光峰蓝移则可能是由纳米晶尺寸的减小和非辐射的俄歇复合过程引起的。