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厚膜熔断器的电气特性模拟
被引量:
2
1
作者
李继良
邓宏
刘理建
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期53-55,共3页
利用ANSYS软件建立了高性能厚膜熔断器的有限元模堑,并对其在正常工作状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,得到熔断器引脚温升为65.30℃,电阻为0.05719Ω,发热功率为0.91504W等参数,并进行了实验验证。结果表明:实验和...
利用ANSYS软件建立了高性能厚膜熔断器的有限元模堑,并对其在正常工作状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,得到熔断器引脚温升为65.30℃,电阻为0.05719Ω,发热功率为0.91504W等参数,并进行了实验验证。结果表明:实验和数值模拟的误差率为3.00%-4.00%,为熔断器的设计制造提供了方法和理论依据。
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关键词
厚膜熔断器
电气特性
有限元模拟
误差率
下载PDF
职称材料
题名
厚膜熔断器的电气特性模拟
被引量:
2
1
作者
李继良
邓宏
刘理建
机构
电子
科技大学
微电子
与固体
电子
学院
四川天微电子有限公司
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期53-55,共3页
文摘
利用ANSYS软件建立了高性能厚膜熔断器的有限元模堑,并对其在正常工作状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,得到熔断器引脚温升为65.30℃,电阻为0.05719Ω,发热功率为0.91504W等参数,并进行了实验验证。结果表明:实验和数值模拟的误差率为3.00%-4.00%,为熔断器的设计制造提供了方法和理论依据。
关键词
厚膜熔断器
电气特性
有限元模拟
误差率
Keywords
thick film fuse
electric characteristic
finite element simulation
error rate
分类号
TM563 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
厚膜熔断器的电气特性模拟
李继良
邓宏
刘理建
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
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职称材料
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