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厚膜熔断器的电气特性模拟 被引量:2
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作者 李继良 邓宏 刘理建 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期53-55,共3页
利用ANSYS软件建立了高性能厚膜熔断器的有限元模堑,并对其在正常工作状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,得到熔断器引脚温升为65.30℃,电阻为0.05719Ω,发热功率为0.91504W等参数,并进行了实验验证。结果表明:实验和... 利用ANSYS软件建立了高性能厚膜熔断器的有限元模堑,并对其在正常工作状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,得到熔断器引脚温升为65.30℃,电阻为0.05719Ω,发热功率为0.91504W等参数,并进行了实验验证。结果表明:实验和数值模拟的误差率为3.00%-4.00%,为熔断器的设计制造提供了方法和理论依据。 展开更多
关键词 厚膜熔断器 电气特性 有限元模拟 误差率
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