Co^(2+)离子在CsMgCl_3晶体中的g因子和超精细结构常数研究

用基团模型的 3d7离子在三角对称下的高阶微扰公式计算了CsMgCl3 晶体中Co2 + 杂质中心的 g因子g∥ ,g⊥ 和超精细结构常数A∥ 和A⊥ .计算中 ,不仅考虑了基态和激发态间的组态相互作用效应 ,而且考虑了 3d7离子d轨道与配体 p轨道之间的共价效应 ,与这两种效应相关的参数可由所研究晶体的光谱和结构数据得到 .在考虑了键长与键角的微弱畸变后 。

多晶硅一维MIS结构光位敏探测器的研制

以横向光伏效应为工作模式，采用氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的快速退火固相晶化工艺，我们成功地研制了一维ＭＩＳ结构的多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）光位敏探测器（ＰＳＤｓ）．测试结果表明：该器件光响应峰位在６６０ｎｍ附近，峰位处光谱灵敏度为１×１０－３μＡ／μＷ，在２０ｍＷ／ｃｍ２光功率密度下，对７８０ｎｍ的近红外光其平均位敏度约０．２８ｍＶ／ｎｍ，与未经退火的α－Ｓｉ：Ｈ器件相比，光响应最大光位敏度为０．４６ｍＶ／ｎｍ，峰位红移６０ｎｍ，光谱灵敏度提高了１－２个数量级。

CdS_(0.1)Se_(0.9)纳米晶体共振电光效应(英文)

采用电吸收谱 (EA)的方法研究了在电场作用下 ,Cd S0 .1Se0 .9纳米晶体光学性质的变化 .分析了电场效应的物理机制 ,电场效应是使纳米晶体的吸收谱展宽和移动 .第一激发态对外加电场敏感 ,而其它激发态不敏感 .从电吸收谱上得到电光响应信号幅度与外加电场场强的平方成正比 ,表明纳米晶体的电光效应是 Kerr效应 ,具有三阶非线性极化率 χ( 3) .