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半导体自旋电子学的研究与应用进展 被引量:1
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作者 徐明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期12-14,共3页
简单介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、磁性/半导体复合结构、非磁性半导体量子阱和纳米结构中的自旋现象,以及半导体的自旋注入等。综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处... 简单介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、磁性/半导体复合结构、非磁性半导体量子阱和纳米结构中的自旋现象,以及半导体的自旋注入等。综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用。 展开更多
关键词 半导体自旋电子学 磁性半导体 自旋注入 量子计算机
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γ-Si_3N_4在高压下的电子结构和物理性质研究 被引量:7
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作者 丁迎春 徐明 +3 位作者 潘洪哲 沈益斌 祝文军 贺红亮 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期117-122,共6页
采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下... 采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料. 展开更多
关键词 γ-Si3N4 光学性质 力学性质 高压
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Effect of Pressure on Electronic Structures and Optical Properties of Rocksalt InN
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作者 许明耀 徐明 +1 位作者 段满益 胡庆平 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第3期293-296,I0001,共5页
The electronic structures and optical properties of rocksalt indium nitride (INN) under pressure were studied using the first-principles calculation by considering the exchange and correlation potentials with the ge... The electronic structures and optical properties of rocksalt indium nitride (INN) under pressure were studied using the first-principles calculation by considering the exchange and correlation potentials with the generalized gradient approximation. The calculated lattice constant shows good agreement with the experimental value. It is interestingly found that the band gap energy Eg at the F or X point remarkably increases with increasing pressure, but Eg at the L point does not increase obviously. The pressure coefficient of Eg is calculated to be 44 meV/GPa at the F point. Moreover, the optical properties of rocksalt InN were calculated and discussed based on the calculated band structures and electronic density of states. 展开更多
关键词 Density functional theory Electronic structure Optical property Rocksalt InN
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单层正三角锯齿型石墨烯量子点的电子结构和磁性 被引量:6
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作者 潘洪哲 徐明 +2 位作者 陈丽 孙媛媛 王永龙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期6443-6449,共7页
采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA),对不同尺寸(N=2—11)的单层正三角锯齿型石墨烯量子点(ZN-GNDs)的结构进行优化,得到与实验数据较好符合的晶格常数,进一步计算得到不同尺寸下体系的自旋多重度、磁矩、电子态密度以及自旋电子... 采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA),对不同尺寸(N=2—11)的单层正三角锯齿型石墨烯量子点(ZN-GNDs)的结构进行优化,得到与实验数据较好符合的晶格常数,进一步计算得到不同尺寸下体系的自旋多重度、磁矩、电子态密度以及自旋电子密度.结果表明:所有体系都呈现金属性,在尺寸较小的体系中量子尺寸效应对电子结构的影响比较明显;与单层石墨烯片一样,sp2杂化作用和非键态电子在量子点中仍起到非常重要的作用;费米能级上有自旋向上的电子分布,体系的自旋多重度和总磁矩随着体系尺寸的增大而增大,分析认为总磁矩主要来自于锯齿形边界上碳原子的2p轨道上非键态电子的贡献.本工作对基于三角锯齿型石墨烯量子点的器件设计具有指导意义. 展开更多
关键词 石墨烯 量子点 电子结构 磁性
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垂直取向Nd2Fe14B/α-Fe磁性三层膜的磁化反转 被引量:12
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作者 鲜承伟 赵国平 +1 位作者 张庆香 徐劲松 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期3509-3514,共6页
运用微磁学方法结合物质参数探究了垂直取向Nd2Fe14B/α-Fe磁性三层膜的磁化反转过程,计算出成核场、钉扎场以及磁滞回线随Ls(软磁相厚度)的变化,并与相关的实验和理论数据进行比较.由于考虑了退磁能量项,垂直取向的成核场比平行取向时... 运用微磁学方法结合物质参数探究了垂直取向Nd2Fe14B/α-Fe磁性三层膜的磁化反转过程,计算出成核场、钉扎场以及磁滞回线随Ls(软磁相厚度)的变化,并与相关的实验和理论数据进行比较.由于考虑了退磁能量项,垂直取向的成核场比平行取向时低,在外磁场还没有反向时就发生了成核.随着软磁相厚度的增加,理论矫顽力从等于成核场(同时也等于钉扎场),到等于钉扎场,再到小于钉扎场,矫顽力机理由成核变为钉扎. 展开更多
关键词 成核场 钉扎场 矫顽力 磁滞回线
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界面交换耦合强度对垂直取向FePt/α-Fe/FePt磁性三层膜磁化反转过程的影响 被引量:2
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作者 薄鸟 赵国平 +2 位作者 叶淋宁 徐劲松 邓娅 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2010年第9期1085-1091,共7页
运用微磁学方法,研究了界面交换耦合强度对垂直取向FePt/α-Fe/FePt磁性三层膜的磁化反转过程的影响,得到成核场的解析公式.研究发现,成核场随界面交换耦合常数的增大而增大.尤其当软磁相厚度很小时,界面交换耦合作用对成核场的影响比... 运用微磁学方法,研究了界面交换耦合强度对垂直取向FePt/α-Fe/FePt磁性三层膜的磁化反转过程的影响,得到成核场的解析公式.研究发现,成核场随界面交换耦合常数的增大而增大.尤其当软磁相厚度很小时,界面交换耦合作用对成核场的影响比较明显.通过数值计算,得到了不同交换耦合常数下的磁矩分布,发现界面处的磁矩角度出现跳跃.并且钉扎场随着软磁相厚度和界面交换耦合常数的增加而减小. 展开更多
关键词 界面交换耦合强度 成核场 矫顽力 微磁学计算
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