Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关.

光诱致聚乙炔激子的产生和演化

在Su-Schrieffer-Heeger(SSH)哈密顿基础上引进弱电子关联,对反式聚乙炔链中单激子的产生和演化过程实施了分子动力学模拟.结果表明,弱关联的引入显著加快了激子的产生和演化,激子形成的时间由零关联的104 fs缩短为48 fs;弱关联未能使呼吸子的振荡周期发生显著改变,但呼吸子振荡成为等振幅恒频率模式.聚乙炔光诱致吸收试验中的瞬时高频吸收峰解释为呼吸子吸收.

Cs_3ZnCl_5:Co^(2+)精细结构、EPR参量和磁化率研究

基于完全对角化方法和Zhao的半自洽场d轨道理论,从Cs3ZnC l5:Co2+的杂质局部结构对其光谱精细结构作了解释,在此基础上进一步计算了电子顺磁共振(EPR)g因子、零场分裂(ZFS)D值和顺磁磁化率,计算结果与实验值符合.

CdSSe半导体纳米晶体的实验研究

用共熔法在玻璃基体中退火生长了一系列不同尺寸的CdSSe半导体纳米晶体,并比较和分析了一步法和两步法.两步退火法增加纳米晶体的数目,在一定程度上提高了纳米晶体尺寸分布.根据纳米晶体的室温吸收光谱,用有效质量近似模型估算了纳米晶体的平均尺寸在2.25～2.58 nm之间.

铁磁体/有机体/铁磁体三明治结构的隧穿磁电阻

对铁磁体/有机体/铁磁体三明治结构的隧穿磁电阻进行了研究.考虑有机层对自旋的过滤作用,用Slonczewsk i自由电子理论模型计算了不同的隧穿势垒下在高自旋过滤因子和低自旋过滤因子两种情况隧穿磁电阻随有机层厚度的变化.计算结果供设计新的有机自旋电子器件参考.

二维和三维空间下各向同性纳米永磁晶粒的剩磁增强效应

纳米永磁晶粒之间的交换耦合相互作用导致在晶界处形成一种类磁畴壁结构的过渡区域.最简单的类磁畴结构——线性磁矩分布,可以给出一维、二维和三维空间中过渡区的宽度、剩磁的解析公式,并很好地解释在各向同性纳米永磁体中观察到的剩磁增强效应,结果与实验值相当吻合.

高压下铝的弹性系数的分子动力学模拟

采用Y.M ish in的EAM势和分子动力学方法,对零温下-15-20 GPa范围内铝的弹性系数进行了研究,得到了弹性系数随压强的变化关系.利用Murnagahan等温状态方程对压强和体积关系进行了拟合,得到铝的零压体模量为73.5 GPa.该结果与相关文献资料报导的值在误差范围内符合得很好.通过和实验值的比较,说明该相互作用势的适用范围可以到15 GPa.

NH_4 Br:Cu^(2+)的EPR参量研究

用晶体场理论研究了3d^9离子Cu^(2+)在NH_4Br中的EPR参量,采用半自洽波函数模型计算了NH_4Br:Cu^(2+)的二阶和三阶近似下的g因子和A因子,计算结果与实验符合;比较了NH_4Br:Cu^(2+)和NH_4Cl: Cu^(2+)的光谱实验值,发现它们的能级次序不同.

碱式聚苯胺的小尺寸效应

利用改进的Ginder-Epstein模型计算了碱式聚苯胺在不同链长的自洽变分基态,结果表明:体系的几何结构和电子结构不仅与链长N有关,而且与体系单体数目的结构有关.4n+2体系与4n体系有不同的电子态;当N<40,苯环扭角和能隙随N的减小而增大,醌环扭角和键序波幅却随N的减小而减小;当N>>40,这些差异都消失,体系趋于稳定.