ICP-AES法测定有机硅触体中铅的含量

采用电感耦合等离子体发射光谱测定了甲基氯硅烷生产使用的触体中铅(Pb)的含量,研究了触体中存在的主要元素铜对Pb测定的光谱干扰。选择灵敏度较高的220.353 nm为分析谱线,采用与试样Cu含量基本匹配的测试方法。被测元素样品加标回收率为103%,RSD(n=10)小于3%。

大位阻二烷基氯硅烷的合成与表征

以氯化铜为氯化试剂,在氯化钯催化下,将2,2,5,5-四(三甲基硅基)硅杂环戊烷转化为大位阻的1-氯-2,2,5,5-四(三甲基硅基)硅杂环戊烷。利用1H NMR、13C NMR、29Si NMR以及高分辨质谱等对化合物结构进行了表征。对反应条件及产品纯化的方法进行了研究。结果表明,在70℃下反应14 h,目标产物产率58%;采用正己烷与甲醇的混合溶剂(1+10)对粗产品进行重结晶时,产物纯度达到96%。

降低二甲基二氯硅烷水解物中残余氯的方法

综述了近年来国内外降低二甲基二氯硅烷水解物中残余氯含量的主要方法——碱中和法、水蒸汽处理法、多级连续水解法及吸附法,并提出了建议。