InGaAs／GaAs应变层量子阱激光器深中心行为

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术研究分子束外延（ＭＢＥ）和二次液相外延（ＬＰＥ）生长的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子季阱激光器深中心行为．在ＭＢＥ激光器的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ组分缓变层和限制层里，除众所周知的ＤＸ中心外，还观察到有较大俘获截面的深（空穴、电子）陷阱及其相互转化．这些陷阱可能分布在ｘ从０到０．４０和ｘ—０．４０的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层里ｘ值不连续的界面附近．而在ＬＰＥ激光器的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ组分缓变层和限制层里，ＤＸ中心浓度明显减少，且深（空穴、电子）陷阱消失，这表明ＬＰＥ掩埋结构工艺可能对激光器深中心的消除或减少有一定作用．深中心的变化与样品阈值电流密度的改善是相符的．

一种低点阵字库压缩算法

本文介绍一种低点阵汉字库不失真压缩还原算法。该算法在压缩对考虑了汉字本身笔划的特点,有较高的压缩比。在还原汉字、对前缀码进行译码时,给出一种映射的方法,使得译码速度提高了三倍,这种译码方法适用于所有计算机前缀码译码问题。

单板ALL-IN-ONE STD总线工业计算机系统的设计

本文详细介绍了一种新的STD总线系统的设计与使用,它的最大特点就是将PC机的所有功能均集中在一块STD卡上,也就是一块STD卡等于一台PC机。故有ALL—IN—ONE之称。