本工作用固相反应法,合成了 La_(1-x)Sr_xFeO_3(0≤x≤0.7)系电子陶瓷,考察了配方对其湿敏性能的影响,用阻抗分析仪测试了材料的介电谱和复阻抗谱,用非德拜模型对其电特性进行了分析讨论,并推导了等效电路的有关参量。结果表明,La_(1-x)...本工作用固相反应法,合成了 La_(1-x)Sr_xFeO_3(0≤x≤0.7)系电子陶瓷,考察了配方对其湿敏性能的影响,用阻抗分析仪测试了材料的介电谱和复阻抗谱,用非德拜模型对其电特性进行了分析讨论,并推导了等效电路的有关参量。结果表明,La_(1-x)Sr_xFeO_3是一种 n 型半导瓷,LaFeO_3具有负湿阻特性,而 La_(1-x)Sr_xFeO_3(0.1≤x≤0.4)却具有正湿阻特性,且其感湿灵敏度随 Sr 取代量的增加而增大。展开更多
用正电子湮没技术测量了 Bi-Sr-Ti-O 系介电陶瓷的正电子寿命谱.基于正电子理论,对该系样品中的寿命谱参数与材料中的缺陷机构进行了分析.结果表明,在固溶区内,当 Bi 含量较低时,材料中仅存在锶空位;而当 Bi 含量较高时,锶空位(V_(Sr))...用正电子湮没技术测量了 Bi-Sr-Ti-O 系介电陶瓷的正电子寿命谱.基于正电子理论,对该系样品中的寿命谱参数与材料中的缺陷机构进行了分析.结果表明,在固溶区内,当 Bi 含量较低时,材料中仅存在锶空位;而当 Bi 含量较高时,锶空位(V_(Sr))之间及锶空位(V_(Sr))与杂质 Bi_(Sr)之间可缔合成复合缺陷.另一方面,正电子寿命谱也能反映出 Bi 在 SrTiO_3中替代的固溶限.实验表明,正电子湮没技术是研究掺杂改性的介电陶瓷中微观缺陷机构的有效手段.展开更多
文摘本工作用固相反应法,合成了 La_(1-x)Sr_xFeO_3(0≤x≤0.7)系电子陶瓷,考察了配方对其湿敏性能的影响,用阻抗分析仪测试了材料的介电谱和复阻抗谱,用非德拜模型对其电特性进行了分析讨论,并推导了等效电路的有关参量。结果表明,La_(1-x)Sr_xFeO_3是一种 n 型半导瓷,LaFeO_3具有负湿阻特性,而 La_(1-x)Sr_xFeO_3(0.1≤x≤0.4)却具有正湿阻特性,且其感湿灵敏度随 Sr 取代量的增加而增大。
文摘用正电子湮没技术测量了 Bi-Sr-Ti-O 系介电陶瓷的正电子寿命谱.基于正电子理论,对该系样品中的寿命谱参数与材料中的缺陷机构进行了分析.结果表明,在固溶区内,当 Bi 含量较低时,材料中仅存在锶空位;而当 Bi 含量较高时,锶空位(V_(Sr))之间及锶空位(V_(Sr))与杂质 Bi_(Sr)之间可缔合成复合缺陷.另一方面,正电子寿命谱也能反映出 Bi 在 SrTiO_3中替代的固溶限.实验表明,正电子湮没技术是研究掺杂改性的介电陶瓷中微观缺陷机构的有效手段.