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用ps光电导采样技术测量微波单片集成电路的S参数 被引量：1
1
作者 吕福云 袁树忠 +3 位作者 潘家齐 盖琦 赵源超 何庆国 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期26-28,共3页
本文报道用光电导采样技术测量微波单片集成电路的Ｓ参数的基本原理．首次用光电导采样技术测量了宽带（１８～３６ＧＨｚ）低噪声三级放大器的Ｓ参数，与用网络分析仪测量的结果进行了比较，一致性很好．而光电导采样技术的测量带宽已... 本文报道用光电导采样技术测量微波单片集成电路的Ｓ参数的基本原理．首次用光电导采样技术测量了宽带（１８～３６ＧＨｚ）低噪声三级放大器的Ｓ参数，与用网络分析仪测量的结果进行了比较，一致性很好．而光电导采样技术的测量带宽已达到１００ＧＨｚ． 展开更多
关键词 S-参数 采样测量 光导开关 单片IC 微波IC
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