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C^+离子注入改善C^+注入多层TiN/Ti膜特性
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作者 赵志勇 张通和 +2 位作者 梁宏 张荟星 张孝吉 《中国科学（E辑）》 CSCD 1997年第3期206-210,共5页
用金属蒸发真空弧离子源(MEVVA)引出的C^+注入了多弧离子镀TiN多层膜C^+注入TiN膜的硬度随注入量和束流密度的增加而增加.X射线分析(XRD)表明,在注入的膜中TiC相已经形成,退火前后TiN(111)和TiC(111)为优先生长相,Auger分析表明在单层Ti... 用金属蒸发真空弧离子源(MEVVA)引出的C^+注入了多弧离子镀TiN多层膜C^+注入TiN膜的硬度随注入量和束流密度的增加而增加.X射线分析(XRD)表明,在注入的膜中TiC相已经形成,退火前后TiN(111)和TiC(111)为优先生长相,Auger分析表明在单层TiN膜中碳原子按Gauss型分布,在多层TiN/Ti膜中注入碳原子为多峰的分布.由此可见用C^+离子注入形成Ti(C,N)/TiN/Ti(C,N)/TiN和Ti(C,N)/TiC/Ti(C,N)/TiC多层结构.这种结构的形成明显改善了TiC镀层特性. 展开更多
关键词 氮化钛/钛 离子注入 多层膜 改性 硬化机理
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