磁性多孔纳米片微波磁导率的微磁学研究

本文基于微磁学理论模拟了多孔α-Fe纳米片的微波磁性能.与无纳米孔洞的纳米片对比,发现由于纳米孔洞的引入导致退磁能发生改变,破坏了纳米片原有的磁畴分布,使纳米片内部存在数目更多、体积更小、局域有效场强不同的磁畴,从而增加了高频磁损耗峰的数目.由于部分损耗峰的相互交叠,为在10—30 GHz范围拓宽电磁波吸收的带宽提供了潜在可能性.模拟结果表明多孔纳米片的磁损耗峰数目、强度、峰宽和频率分布受孔洞排布方式和孔洞数目的影响.由于纳米孔洞的存在可以降低材料的密度,模拟结果表明多孔α-Fe纳米片可用于开发吸收频段宽、重量轻的电磁波吸收材料.