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题名带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构
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作者
王柳敏
金锐
徐晓轶
谢刚
盛况
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机构
浙江大学电气工程学院
国网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所
国家电网公司南通供电公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期280-285,共6页
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基金
国家高科技发展研究计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
国网科技项目(SGRI-WD-71-14-005)
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文摘
为了有效消除器件的逆阻现象,提出了一种带有p型柱体的三维阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管(SA-LIGBT)结构。p型柱体位于n型缓冲层中,提高了集电极区域的短路电阻,从而使逆阻现象完全消失。另一方面,p型柱体会向漂移区注入更多的空穴,可以增强通态条件下器件的电导调制效应,降低器件的通态压降。利用三维仿真软件Crosslight-APSYS仿真研究了p型柱体的高度、宽度和长度对逆阻现象以及对器件通态压降和关断速度的影响。结果表明,当p型柱体的高度为1μm,宽度为12μm,长度为20μm时,器件的逆阻现象完全消失。通态压降为1.61 V,关断时间为110.3 ns,而传统结构LIGBT的通态压降为1.56 V,关断时间为2.33μs。
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关键词
三维
横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)
阳极短路
p型柱体
逆阻效应
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Keywords
three-dimensional
lateral insulated gate bipolar transistor(LIGBT)
anode short circuit
p-pillar
snap-back
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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