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掺稀土离子的电子俘获材料 被引量:8
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作者 苏锵 李成宇 +4 位作者 王静 李娟 张彦立 郭崇峰 吕玉华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期143-148,共6页
可利用不等价离子取代法或高能射线辐照法制备电子俘获材料,如长余辉发光材料ZnO SiO2 B2O3 MnO、CaS∶Eu2+,Tm3+、CaGa2S4∶Eu2+,Ho3+和固体剂量材料Zn0. 96 (BO2 )2∶0. 04Tb,Sr0. 93Dy0. 07B4O7 等。利用俘获在缺陷中的电子空穴对... 可利用不等价离子取代法或高能射线辐照法制备电子俘获材料,如长余辉发光材料ZnO SiO2 B2O3 MnO、CaS∶Eu2+,Tm3+、CaGa2S4∶Eu2+,Ho3+和固体剂量材料Zn0. 96 (BO2 )2∶0. 04Tb,Sr0. 93Dy0. 07B4O7 等。利用俘获在缺陷中的电子空穴对的复合,并把能量传递给Eu2+或Mn2+等激活离子而产生长余辉发光或热释光。它们将在弱光照明与显示,信息存储和辐射治疗与探测、监控等方面获得应用。 展开更多
关键词 稀土 电子俘获材料 缺陷
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