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GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计 被引量：3
1
作者 张敬明 徐俊英 +6 位作者 肖建伟 徐遵图 李立康 杨国文 曾安 钱毅 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第8期463-468,共6页
本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光... 本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光器材料结构设计提供了有效的方法. 展开更多
关键词 量子阱 激光器 结构设计 波长 阈值
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