高速掩埋半导体激光器设计与实验

本文介绍了一种新型高速调制半导体激光器的设计思想、理论依据及实验结果。在掩埋新月型激光器的基础上,对如何增加其调制带宽进行了深入研究。探讨了影响激光器调制带宽的主要因素,综合分析了减小器件分布电容和增加输出功率之间的矛盾和解决的方法,据此设计并研制出高速调制1.3μm InGaAsP/InP多层限制掩埋新月型激光器,器件的3dB调制带宽大于3GHz。

多量子阱空间光调制器二维列阵

用MBE技术生长GaAs／AlGaAs多量子阱材料，研制出8×8独立寻址反射型空间光调制器列阵，对列阵的光反射谱、光电流谱、电场调制特性及电学特性进行了全面的测试，并对列阵的均匀性进行了分析．

GaAs／GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件

采用分子束外延技术生长含有大周期数的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阶（ＭＱＷ）及分布布喇格反射器（ＤＢＲ）的ＰＩＮ结构器件。研究了量子限制斯塔克效应（ＱＣＳＥ），分布布喇格反射及非对称腔模（ＡＳＦＰ）效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器，其两态衬比度可达１０ｄＢ。所研制的ＳＥＥＤ器件，其导通光能耗低于１０ｆＪ／（μｍ）￣２，实现其光学双稳态及Ｒ－Ｓ光触发器工作。

低阈值脊形波导单量子阱级联双区激光器

本文报道低阈值脊形波导单量子阶级联双区激光器的制备，直流输出特性，光双稳、光谱调谐和高频调制ｐｓ特性．激射波长～０．８５μω，调谐范围为７ｎｍ．

Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料

Ｌｐ─ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＡｌＡｓ量子阱结构材料崔敬忠，甘润今，陈光华，张仿清（兰州大学物理学系，兰州７３００００）杨树人，刘宝林，陈伯军，刘式墉（国家集成光电子学联合实验室，吉林大学实验区，长春１３００２３）与ＩｎＰ匹配的Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ...

MOVPE生长不掺杂薄GaAs层线偏振光吸收系数和折射率的电流感生变化

本文报道研究MOVPE技术生长微米量级不掺杂薄GaAs层的线偏振光吸收系数电流感生变化(△α)和折射串电流感生变化(△n)的实验结果。发现通有电流的薄GaAs层内△α和△n值随光波长(λ)呈脉冲线型非线性变化。电流增加,△α,△n和脉冲线型函数的半极值全宽值都明显增大,而△α-λ谱和△n-λ谱的峰值对应的λ_p值明显移向长波端。不掺杂薄GaAs层内电流感生的这种光学非线性效应,对了解具有多薄层结构的电流注入型半导体光电子器件和集成光学元件的物理机制,设计和改进器件性能具有实用参考价值。

GaAs微微秒光导开关的研究

采用离子注入高纯ＬＥＣＧａＡｓ材料，设计研制了共面线和微带线两种结构微微秒（ｐｓ）光导开关．其输出电脉冲响应时ＩＮＦＷＨＭ为８—１０ｐｓ，当光强为１ｍＷ时，电脉冲幅度为０．

场效应晶体管-自电光效应器件灵巧像素的实验研究

在一块印刷电路板上通过将自电光效应器件（ＳＥＥＤ）与ＧａＡｓ埸效应晶体管（ＦＥＴ）进行互连制作了一种简单的场效应晶体管－自电光效应器件（ＦＥＴ－ＳＥＥＤ）灵巧像素。这种灵巧像素由一个输入自电光效应器件，一个输出自电光效应器件及一个ＧａＡｓ场效应晶体管放大器构成。设计了一个光学系统，在这个系统上对这种灵巧像素进行了演示及测试。

GaAs膜内注入载流子感生的折射率相对变化谱及其对光开关特性的影响

实验测量了不掺杂GaAs膜内注入载流子感生的820～900nm波段反射率相对变化谱,从而得到对应的折射率相对变化谱,并分析其对光开关特性的影响。

全内反射型光波导开关反射特性的分析

本文详细分析了全内反射型光波导开关的反射特性,指出反射模存在位相变化及其相对位相差。数值计算结果表明,反射TE模和反射TM模强度反射率、反射损耗,它们的位相变化及其相对位相差都与光波导开关区介质折射率改变量、损耗以及传播角有密切关系。