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光声谱研究多孔碳化硅的能带特性
被引量:
4
1
作者
李宜德
杜英磊
+1 位作者
李纪焕
吴柏枚
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期1260-1263,共4页
报道了用UV光照射和不用UV光照射条件下形成的p型α PSC以及原始SiC的光声光谱 (PAS) .从光声Rosenwaig Gersho理论出发 ,计算出多孔SiC的吸收系数与能量的关系 ,得到多孔SiC的能隙低于原始SiC的能隙 ,并深入分析了能隙的变化原因 ,同时 。
关键词
光声光谱
多孔碳化硅
能带特性
半导体材料
能隙
SIC
原文传递
题名
光声谱研究多孔碳化硅的能带特性
被引量:
4
1
作者
李宜德
杜英磊
李纪焕
吴柏枚
机构
中国科学技术
大学
天文与应用物理系
国立公州大学化学系
中国科学技术
大学
物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期1260-1263,共4页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :10 1740 70 )资助的课题~~
文摘
报道了用UV光照射和不用UV光照射条件下形成的p型α PSC以及原始SiC的光声光谱 (PAS) .从光声Rosenwaig Gersho理论出发 ,计算出多孔SiC的吸收系数与能量的关系 ,得到多孔SiC的能隙低于原始SiC的能隙 ,并深入分析了能隙的变化原因 ,同时 。
关键词
光声光谱
多孔碳化硅
能带特性
半导体材料
能隙
SIC
Keywords
photoacoustic spectra
porous silicon carbide
energy band gap
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光声谱研究多孔碳化硅的能带特性
李宜德
杜英磊
李纪焕
吴柏枚
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
4
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