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光声谱研究多孔碳化硅的能带特性 被引量:4
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作者 李宜德 杜英磊 +1 位作者 李纪焕 吴柏枚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1260-1263,共4页
报道了用UV光照射和不用UV光照射条件下形成的p型α PSC以及原始SiC的光声光谱 (PAS) .从光声Rosenwaig Gersho理论出发 ,计算出多孔SiC的吸收系数与能量的关系 ,得到多孔SiC的能隙低于原始SiC的能隙 ,并深入分析了能隙的变化原因 ,同时 。
关键词 光声光谱 多孔碳化硅 能带特性 半导体材料 能隙 SIC
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