CSP组装底部填充工艺

CSP即芯片规模封装,是在BGA的基础上进一步缩小了封装尺寸.CSP可提供裸芯片与倒装芯片的性能与小型的优势,可设计成比芯片模面积或周长大1.2～1.5倍的封装.并为回流焊装配工艺提供与线路印刷板焊盘冶金兼容的锡球和引脚.

钽电解电容器的失效及对策

介绍了钽电解电容器的常见失效模式,结合我厂军品电源模块使用的CAK 45钽电解电容器,进行了失效率估算,并对钽电解电容器使用中见的失效模式提出了具体的预防对策,最后对钽电解电容器的加速寿命试验结果进行了分析。

耐高温集成电路的研制

采用５种特殊工艺技术，研制出Ｆ０７／Ｆ１０１／Ｆ１０８三种耐高温集成电路，具有在１７５℃下能够正常工作并满足参数规范。

Z900MCM综述

介绍了Z900 MCM设计和布局,可控塌陷芯片连接(C4)工艺在Z900 MCM组装中的应用。从设计上通过加入垂直电感器及去耦电容器减小其噪声。通过基板测试和功能测试,剔除有缺陷的基板和芯片。Z900 MCM采用先进的MCM—D技术和MCM返工及冷却技术。Z900 MCM平均无故障时间高达40年。

插针引线级进模的设计与制造

如图1所示的引线为三爪卡式插针引线。根据使用的电路板厚度(0.6～0.8mm)不同,引线头长度有3.048mm和2.54mm两种,引线所用的材料为铜基194合金,材料厚0.254mm,引线步距为2.54mm,要求毛刺小、开口对称、无歪头现象、弯曲部分无裂痕,10～20只为一单元,镀锡10～20μm,与线路板焊接后再切筋。

高可靠性与超宽环境温度的混合集成DC/DC变换器的设计

电源,特别是在国防上应用的电源,由于其环境条件的恶劣,从而对电源性能的要求也愈来愈严格。介绍一种作者为国家级重点军品项目开发、研制的,具有超宽工作环境温度(-60℃～+125℃,150℃短时间工作3min)和高可靠性、高频率的厚膜混合集成DC/DC电源变换器,并提出设计此特种电源所要遵守的原则及注意事项。

低成本高效率电源设计

近年来,为了提高电源变换器的效率,通常采用谐振电路、软开关等低损耗变换技术,但其技术难度较大,故在国内电源生产厂家之中很少采用此项技术来生产自己大众化的电源产品(有用谐振电路生产电源的厂家,其频率也仅在100～400kHz之间)。本文介绍的诸项技术,可以应用到几乎所有类型的电源设计中,使效率提高约10%左右。

硅烷外延淀积多晶硅

SiH_4-H_2-HCl系统用于淀积多晶硅膜,有着SiCl_4外延无法比拟的优越性,其生长温度最佳值在1050℃,生长速度从实验趋势上来看远远超过了SiCl_4外延.外延质量也比SiCl_4外延好.所以,在一些特殊器件的制造中采用本系统是完全必要的.

LTS—1201测量卡的维修

本文介绍如何维修LTS—2000系列器件测试系统的核心插卡——测量卡。叙述了如何获得维修测量卡的有关信息;如何寻找故障,并举了两个实例加以说明。

混合微电路无铅导电粘接工艺

在混合微电路组装中,使用无铅导电粘接剂的主要动力是环境因素,即减少或避免在电子工业中使用铅.铅是有毒的重金属元素,铅和铅的化合物已被环境保护机构(EPA)列入前17种对人体和环境危害最大的化学物质之一.由于无铅导电粘接剂不含铅,涂覆工艺简单,低的固化温度以及与电子组件生产中所用材料的工艺相容性,使导电粘接工艺在电子产品组装中应用已相当普及.