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铝导带薄膜混合集成电路工艺
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作者 杨成刚 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1997年第5期47-50,共4页
在薄膜混合集成电路中,以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺,但铝与银浆的黏接在一定的温度和时间下,会产生一种绝缘金属间化合物,需要一定的电压才能击穿,从而使最终产品失效。采用Al-Ni复合导带可以解决上述... 在薄膜混合集成电路中,以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺,但铝与银浆的黏接在一定的温度和时间下,会产生一种绝缘金属间化合物,需要一定的电压才能击穿,从而使最终产品失效。采用Al-Ni复合导带可以解决上述问题,并得到满意的结果。 展开更多
关键词 真空沉积 刻蚀 金属间化合物 薄膜电路
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