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铝导带薄膜混合集成电路工艺
1
作者
杨成刚
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1997年第5期47-50,共4页
在薄膜混合集成电路中,以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺,但铝与银浆的黏接在一定的温度和时间下,会产生一种绝缘金属间化合物,需要一定的电压才能击穿,从而使最终产品失效。采用Al-Ni复合导带可以解决上述...
在薄膜混合集成电路中,以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺,但铝与银浆的黏接在一定的温度和时间下,会产生一种绝缘金属间化合物,需要一定的电压才能击穿,从而使最终产品失效。采用Al-Ni复合导带可以解决上述问题,并得到满意的结果。
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关键词
真空沉积
刻蚀
金属间化合物
薄膜电路
下载PDF
职称材料
题名
铝导带薄膜混合集成电路工艺
1
作者
杨成刚
机构
国营四四三三厂
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1997年第5期47-50,共4页
文摘
在薄膜混合集成电路中,以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺,但铝与银浆的黏接在一定的温度和时间下,会产生一种绝缘金属间化合物,需要一定的电压才能击穿,从而使最终产品失效。采用Al-Ni复合导带可以解决上述问题,并得到满意的结果。
关键词
真空沉积
刻蚀
金属间化合物
薄膜电路
Keywords
vacuum deposition, composite conduction band,etching, intermetallic compound
分类号
TN451.05 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铝导带薄膜混合集成电路工艺
杨成刚
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1997
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