NAND Flash流水线管理技术研究

NAND Flash在消费电子和PC领域应用相当广泛,随着ONFI标准的提出,部分闪存支持DDR读写方式,总线速率大大提高,闪存的存储管理技术显得尤为重要。本文基于NAND Flash存储管理硬件平台,针对流水线技术进行研究。主要研究流水线的数据通路和指令通路的构建方式以及指令控制方式。根据NAND Flash不同指令的特点,建立智能流水线指令控制器,最后测试和分析了流水线管理器的性能。

“资源化”网络OA的安全模型

资源化是一种全新的概念,可用于现代安全网络OA的模型。该文概述了传统网络OA所遇到的困境,提出了一种全新的资源化下网络OA的安全模型架构,阐述了“资源化”的具体概念及思想,分析了该架构的安全技术、安全特点和权限模块功能。测试表明,该模型能有效地提高系统的安全性。

基于WDF的PXIe接口驱动程序开发

PXIe作为PCIe专业测量领域的扩展,在高速数据采集与存储领域应用相当广泛。结合自行开发的高速PXIe采集卡,详细介绍了基于WDF模型且具有DMA传输功能的PXIe驱动程序设计方法,并分析了驱动程序对采集系统中采集存储速率的影响。在驱动程序的开发中,结合多处理器计算机的结构优势,设计了支持多线程应用程序编程接口,极大提高了采集系统的实时存储速率。

三维AOA/TDOA被动定位及其迭代融合算法

对辐射源的三维被动定位是电子支持测量系统(electronic support measure system,ESM)的重要内容,特别是在军事上,是侦察定位、监视监测的重要方面。到达时间差(time differ-ence of arrival,TDOA)、到达角度(angle of arrival,AOA)是被动雷达普遍采用的两种定位方法。本文基于分别安装于不同运动平台上的两个传感器的AOA和TDOA测量,给出了迭代最小二乘(iterative least squares,ILS)融合算法。其中,传感器的位置、速度以及状态等参量由集成GPS/INS系统估计得到,AOA/TDOA测量方程由运动平台的位置、姿态以及传感器的AOA、TDOA测量数据构成。本方法首先将ISL用于对两个传感器的AOA融合,然后将得到的估计结果作为AOA/TDOA的ILS融合的初始值。仿真结果显示采用AOA/TDOA融合算法,使定位精度得到有效提高。

一种NAND Flash存储器抗辐射加固方法

随着宇航事业的飞速发展,迫切需要一种稳定的非易失存储器,NAND闪存具有功耗小、速度快等特点,在宇航领域有广阔的应用前景。分析了NAND Flash的辐射效应和错误模式,设计了一种基于RS(Reed-Solomon)-RM(R-eed-Muller)级联纠错编码的软件加固方法,该码具备很强的纠随机错误和突发错误的能力。级联码译码器中采用流水线技术以及兵乓操作进行加速,数据吞吐率得到保证。

中医药干预动脉粥样硬化的实验研究进展

动脉粥样硬化（Atherosclerosis,AS）是心脑血管疾病的病理基础[1],严重危害人类的健康。近年来,随着生活水平的提高,AS的发病率逐渐升高,已成为心血管疾病主要死因,防治AS是防治心脑血管病的根本措施。目前现代医学与中医学均对其病因、发病机制及病理变化做了深入的研究。现将中医药干预AS的实验研究进展进行综述如下。

横截面积参数对钛氧化物忆阻器导电特性的影响

纳米钛氧化物忆阻器的导电过程因自身参数的改变及不同机理的共存而呈现复杂特性,但现有研究缺乏针对横截面积参数的改变对忆阻器导电特性影响的讨论.基于杂质漂移及隧道势垒机理,本文分析了忆阻器导电过程,研究了横截面积参数与导电过程中各关键物理要素间的关联,并基于此,分别研究了钛氧化物横截面积及隧道势垒横截面积的改变对忆阻器导电特性的影响,分析了两者的区别与联系.验证了两种机理共存情况下,相对于钛氧化物横截面积的改变,隧道势垒横截面积的改变是引发忆阻器导电特性变化的主要因素,且是导致忆阻器非理想导电特性的可能因素.研究成果有助于进一步解释忆阻器导电过程的复杂性,并为优化忆阻器模型的构建提供依据.

忆阻逾渗导电模型中的初态影响

逾渗网格模型是当前忆阻器件机理分析研究领域的热点之一,但现有模型缺乏对初态设定的讨论.本文对逾渗网格模型进行了简化,并基于此,通过电压激励步进的方式,研究了不同初态对单极性忆阻开关元件中逾渗导电通道形成的影响,分析了形成通道的动态过程以及相应的物理意义,验证了忆阻开关元件高低阻态的阻值实际表现为高斯分布而非理想双值稳态;而不同初态条件下,忆阻开关元件导电通道的形状存在着不同的"树形"结构,进而影响着其阻值的分布.研究成果有助于进一步揭示忆阻器尚未明确的导电机理,为今后对具体不同类型的忆阻元件的初态分析提供指导性作用.

温度改变对钛氧化物忆阻器导电特性的影响

相同测试条件下,纳米钛氧化物忆阻器的导电过程存在不稳定性,制约了对器件瞬态阻抗的精确读取与控制,并影响了器件应用于电路设计的可靠性与稳定性.杂质漂移与隧道势垒的共存是导致上述不稳定性的可能因素,且杂质漂移特性与环境温度密切相关.然而,目前尚无通过控制温度提高忆阻器导电稳定性的具体研究.基于杂质漂移与隧道势垒共存,本文分析了温度与忆阻器导电特性的关联,研究了器件活跃区域厚度及初始掺杂层厚度的改变对临界温度的影响,利用SPICE软件进行了仿真验证并给出结果,得出提高忆阻器导电稳定性的方法有:增大活跃区域厚度、降低初始杂质浓度及保持环境温度稳定且低于临界温度,从而为制备性能稳定的忆阻器及推动器件在实际电路中的应用提供依据.