利用p型(100)硅片制备二维光子晶体的工艺

采用电化学腐蚀法并结合光刻、反应离子刻蚀以及碱性腐蚀等技术，在p型(100)硅基底中制备了大深宽比的二维大孔硅光子晶体，其二维周期性结构的晶格常数为3．8μm，孔隙直径约3．0μm，孔隙深度超过80μm．在光刻、反应离子刻蚀及碱性腐蚀所刻印的V形尖坑阵列的基础上，采用优化的电化学腐蚀参数能制备出周期性好、深宽比大、表／侧面光滑的高品质光子晶体结构，并从理论上利用数值模拟的方法证明了该样品结构在归一化频率位于0．162～0．205ωα／(2πc)范围内存在光子带隙．

新型声学功能材料——声子晶体

声子晶体是近 10年来提出的新概念、新声学功能材料。其在弹性波范围内的带隙结构的研究具有极大的理论和应用价值。声子晶体的研究将会对固体物理学、材料科学、声学等产生深刻的影响 ,并为我们进行声波控制和振动控制提供全新的思路。本文主要对声子晶体的概念和基本特征、研究发展以及声子晶体的应用前景进行了重点论述。

电化学制备P型硅基二维光子晶体优化参数

利用光刻技术与碱性腐蚀等工艺预写晶格图样,采用电化学腐蚀方法在P〈100〉型硅基底制备二维大孔硅光子禁带结构.结果表明:在预写有晶格图样的P〈100〉型硅基底上由电化学阳极氧化制备的二维大孔硅,其孔洞的生长速率、深宽比及表/侧面形貌与电解质配比方案及阳极电流密度均密切相关.在优化的电化学工艺参数下得到的空气洞阵列,具有近乎完美的二维四方晶格,晶格常数为3.8μm,孔洞直径约3.0μm,孔洞深宽约90μm,深宽比达30.该方法可用于制备在中红外或近红外波段具有完全二维光子带隙的光子晶体.

亚微米微球三维有序阵列的组装技术研究

以硅酸乙酯为原料在乙醇 氨介质中制备了单分散性良好的亚微米级二氧化硅微球 ,采用电泳辅助沉降技术实现了二氧化硅微球三维有序阵列的组装 ,获得了规整度较高的二氧化硅微球面心立方阵列 ,并与其他组装方法的特点和适用范围进行了比较 ,为不同粒径 (从微米至亚微米范围 )