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HgCdTe探测器Pt电阻测温分析
被引量:
5
1
作者
王飞
程湘爱
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2007年第4期461-463,466,共4页
研究了PV型HgCdTe探测器在1.319μm连续激光辐照下的温升效应。根据探测器的分层结构及测温Pt电阻的位置(冷面上),推断Pt电阻测得的温度并不直接反映HgCdTe芯片的温度,而是比芯片温度低很多。实验测量了Pt电阻的温升,数值模拟了Pt电阻...
研究了PV型HgCdTe探测器在1.319μm连续激光辐照下的温升效应。根据探测器的分层结构及测温Pt电阻的位置(冷面上),推断Pt电阻测得的温度并不直接反映HgCdTe芯片的温度,而是比芯片温度低很多。实验测量了Pt电阻的温升,数值模拟了Pt电阻温度随时间的变化以及探测器各层结构的温升情况,理论分析结果与实验结果相一致。
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关键词
PV型HgCdTe探测器
温升
杜瓦冷面
Pt电阻
1.319
μm连续激光
下载PDF
职称材料
题名
HgCdTe探测器Pt电阻测温分析
被引量:
5
1
作者
王飞
程湘爱
机构
国防科技大学光电学院定向能技术研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2007年第4期461-463,466,共4页
文摘
研究了PV型HgCdTe探测器在1.319μm连续激光辐照下的温升效应。根据探测器的分层结构及测温Pt电阻的位置(冷面上),推断Pt电阻测得的温度并不直接反映HgCdTe芯片的温度,而是比芯片温度低很多。实验测量了Pt电阻的温升,数值模拟了Pt电阻温度随时间的变化以及探测器各层结构的温升情况,理论分析结果与实验结果相一致。
关键词
PV型HgCdTe探测器
温升
杜瓦冷面
Pt电阻
1.319
μm连续激光
Keywords
PV-type HgCdTe detector
Temperature raise
Cold face of Dewar
Pt resistance
1.319μm CW-laser
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HgCdTe探测器Pt电阻测温分析
王飞
程湘爱
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2007
5
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