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一种面向多核DSP的小容量紧耦合快速共享数据池
被引量:
13
1
作者
陈书明
汪东
+1 位作者
陈小文
万江华
《计算机学报》
EI
CSCD
北大核心
2008年第10期1737-1744,共8页
该文结合片上便笺式存储器(SPM)的结构特点,提出了一种面向异构多核DSP的新型小容量紧耦合共享存储结构——快速共享数据池(FSDP).FSDP在存储层次上与一级Cache平行,可以被访存指令直接访问,采用多体并行的结构、交叉访问模式和基于硬...
该文结合片上便笺式存储器(SPM)的结构特点,提出了一种面向异构多核DSP的新型小容量紧耦合共享存储结构——快速共享数据池(FSDP).FSDP在存储层次上与一级Cache平行,可以被访存指令直接访问,采用多体并行的结构、交叉访问模式和基于硬件信号灯的自动同步机制,支持多个DSP核的并行访问与快速的核间数据交换,两核之间交换单个数据只需4拍.该文构建了FSDP的模拟模型,并进行了RTL级设计实现和分析.多种典型测试程序的验证表明,FSDP对于DSP核间细粒度共享数据的传输具有很高的效率,相比同类的VS-SPM结构能够将程序性能提高37%,与传统的共享数据Cache结合使用能够将异构多核DSP的性能提高13%.
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关键词
便笺存储器
共享存储
多核DSP
释放一致性
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职称材料
基于漏区边界曲率分析的射频RESURF LDMOS耐压与导通电阻优化
被引量:
1
2
作者
池雅庆
郝跃
+1 位作者
冯辉
方粮
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第10期1818-1822,共5页
分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击...
分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击穿电压不变的前提下,明显降低导通电阻.
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关键词
LDMOS
RESURF
漏区边界曲率半径
击穿电压
导通电阻
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职称材料
时钟偏斜补偿电路设计与实现
3
作者
曾献君
陈亮
+1 位作者
冀蓉
胡建国
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2008年第2期44-46,共3页
时钟系统的稳定性直接决定了在不同操作环境下时钟偏斜值的大小,并影响芯片的可靠性,因此讨论了时钟偏斜补偿电路的设计与实现技术,为提高时钟系统的稳定性并提高在不同操作条件下的可靠性,从电路设计、版图实现的角度采取了有效措施,...
时钟系统的稳定性直接决定了在不同操作环境下时钟偏斜值的大小,并影响芯片的可靠性,因此讨论了时钟偏斜补偿电路的设计与实现技术,为提高时钟系统的稳定性并提高在不同操作条件下的可靠性,从电路设计、版图实现的角度采取了有效措施,有效提高了芯片的可靠性。
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关键词
时钟偏斜补偿
时钟系统稳定性
可靠性设计
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职称材料
题名
一种面向多核DSP的小容量紧耦合快速共享数据池
被引量:
13
1
作者
陈书明
汪东
陈小文
万江华
机构
国防科技大学计算机学院微电子研究所
出处
《计算机学报》
EI
CSCD
北大核心
2008年第10期1737-1744,共8页
基金
国家"八六三"高技术研究发展计划项目基金(2007AA01Z108)
国家自然科学基金(60473079)
教育部博士点基金(20059998026)资助~~
文摘
该文结合片上便笺式存储器(SPM)的结构特点,提出了一种面向异构多核DSP的新型小容量紧耦合共享存储结构——快速共享数据池(FSDP).FSDP在存储层次上与一级Cache平行,可以被访存指令直接访问,采用多体并行的结构、交叉访问模式和基于硬件信号灯的自动同步机制,支持多个DSP核的并行访问与快速的核间数据交换,两核之间交换单个数据只需4拍.该文构建了FSDP的模拟模型,并进行了RTL级设计实现和分析.多种典型测试程序的验证表明,FSDP对于DSP核间细粒度共享数据的传输具有很高的效率,相比同类的VS-SPM结构能够将程序性能提高37%,与传统的共享数据Cache结合使用能够将异构多核DSP的性能提高13%.
关键词
便笺存储器
共享存储
多核DSP
释放一致性
Keywords
SPM
shared memory
multi-core DSP
release consistency
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
基于漏区边界曲率分析的射频RESURF LDMOS耐压与导通电阻优化
被引量:
1
2
作者
池雅庆
郝跃
冯辉
方粮
机构
国防科技大学计算机学院微电子研究所
西安
电子
科技
大学
微电子
学院
宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第10期1818-1822,共5页
基金
国防预先研究基金
陕西省电子发展基金资助项目~~
文摘
分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击穿电压不变的前提下,明显降低导通电阻.
关键词
LDMOS
RESURF
漏区边界曲率半径
击穿电压
导通电阻
Keywords
LDMOS
RESURF
boundary curvature radius of drain region
breakdown voltage
on-resistance
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
时钟偏斜补偿电路设计与实现
3
作者
曾献君
陈亮
冀蓉
胡建国
机构
国防科技大学计算机学院微电子研究所
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2008年第2期44-46,共3页
基金
国家自然科学基金项目(60676016)
文摘
时钟系统的稳定性直接决定了在不同操作环境下时钟偏斜值的大小,并影响芯片的可靠性,因此讨论了时钟偏斜补偿电路的设计与实现技术,为提高时钟系统的稳定性并提高在不同操作条件下的可靠性,从电路设计、版图实现的角度采取了有效措施,有效提高了芯片的可靠性。
关键词
时钟偏斜补偿
时钟系统稳定性
可靠性设计
Keywords
clock deskew
clock system stability
design for reliability
分类号
TH714.51 [机械工程—测试计量技术及仪器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种面向多核DSP的小容量紧耦合快速共享数据池
陈书明
汪东
陈小文
万江华
《计算机学报》
EI
CSCD
北大核心
2008
13
下载PDF
职称材料
2
基于漏区边界曲率分析的射频RESURF LDMOS耐压与导通电阻优化
池雅庆
郝跃
冯辉
方粮
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
下载PDF
职称材料
3
时钟偏斜补偿电路设计与实现
曾献君
陈亮
冀蓉
胡建国
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
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