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氮化铝薄膜的光学性能 被引量:11
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作者 颜国君 陈光德 +1 位作者 邱复生 Zhaoyan Fan 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期221-223,共3页
分别使用X衍射仪和紫外(190nm^800nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与... 分别使用X衍射仪和紫外(190nm^800nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10k^293k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致. 展开更多
关键词 AIN薄膜 透射谱 吸收谱 禁带带宽 自由激子
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AlGaN肖特基势垒二极管的研制 被引量:1
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作者 邵庆辉 叶志镇 +3 位作者 黄靖云 赵炳辉 江红星 林景瑜 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1244-1247,共4页
为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺过程和器件特性进行... 为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺过程和器件特性进行了研究.IV测试表明该AlGaN肖特基二极管具有明显的整流特性和较高的反向击穿电压(95V),理想因子为1.93.经300℃1min退火,该器件正、反向IV特性都得到明显改善.采用变温IV法对Au/AlGaN接触的肖特基势垒高度进行了标定,其势垒高度高达1.08eV,更适合在高压、大电流条件下工作. 展开更多
关键词 ALGAN 肖特基势垒二极管 势垒高度
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类铍Ar^(14+)和类镁Ar^(6+)离子双激发态能级的计算
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作者 陈信义 苟秉聪 陈政 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期14-18,共5页
用组态相互作用方法计算了类铍Ar14+离子双激发态1s23l3l'和类镁Ar6+离子双激发态1s22s22p64l4l'的能级。两个外层电子与内层原子实1s2或1s22s22s6电子的作用用模型势表示。Ar14+的双... 用组态相互作用方法计算了类铍Ar14+离子双激发态1s23l3l'和类镁Ar6+离子双激发态1s22s22p64l4l'的能级。两个外层电子与内层原子实1s2或1s22s22s6电子的作用用模型势表示。Ar14+的双激发态可用量子数K,T和A标记,而Ar6+的某些组态却不能用上述量子数表示。 展开更多
关键词 双激发态 类铍离子 类镁离子 能级
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Electron Momentum Spectroscopy of Valence Orbitals of Cyclopentene:Nuclear Dynamics and Distorted Wave Effect
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作者 Zhao-hui Liu En-liang Wang +3 位作者 Ya-guo Tang Shan-shan Niu Xu Shan Xiang-jun Chen 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第5期783-796,I0012,共15页
We report a measurement of electron momentum distributions of valence orbitals of cyclopentene employing symmetric noncoplanar(e,2e)kinematics at impact energies of 1200 and 1600 eV plus the binding energy.Experimenta... We report a measurement of electron momentum distributions of valence orbitals of cyclopentene employing symmetric noncoplanar(e,2e)kinematics at impact energies of 1200 and 1600 eV plus the binding energy.Experimental momentum profiles for individual ionization bands are obtained and compared with theoretical calculations considering nuclear dynamics by harmonic analytical quantum mechanical and thermal sampling molecular dynamics approaches.The results demonstrate that molecular vibrational motions including ring-puckering of this flexible cyclic molecule have obvious influences on the electron momentum profiles for the outer valence orbitals,especially in the low momentum region.Forπ^(*)-like molecular orbitals 3a′′,2a′′,and 3a′,the impact-energy dependence of the experimental momentum profiles indicates a distorted wave effect. 展开更多
关键词 Electron momentum profile Nuclear dynamics Ring-puckering Distorted wave effect
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GaN激子跃迁的时间分辨光谱学研究 被引量:1
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作者 陈光德 林景瑜 江红星 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期723-726,共4页
用时间分辨光谱学方法研究低压有机金属化学汽相沉积生长的GaN中自由、束缚激子(BX)的跃迁,讨论了这些跃迁的光致发光光谱、复合寿命及其与温度的关系,给出了中性施主束缚激子和自由激子(FX)的辐射复合寿命分别为0.12... 用时间分辨光谱学方法研究低压有机金属化学汽相沉积生长的GaN中自由、束缚激子(BX)的跃迁,讨论了这些跃迁的光致发光光谱、复合寿命及其与温度的关系,给出了中性施主束缚激子和自由激子(FX)的辐射复合寿命分别为0.12ns和0. 展开更多
关键词 激子跃迁 时间分辨光谱学 氮化镓 半导体
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