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沟槽深度对UMOS功率器件电学性能的影响
1
作者
张金英
华光平
+2 位作者
纪新明
周嘉
黄宜平
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期506-510,共5页
采用0.35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件,芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联,以获得高的击穿电压和大的工作电流.研究发现,沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响,且最终影...
采用0.35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件,芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联,以获得高的击穿电压和大的工作电流.研究发现,沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响,且最终影响量产中的良率.实验表明,在相同的工艺条件下,沟槽深度为1.65μm(试验范围为1.60~1.95μm)时,Ф200mm晶片的良率可达98%以上,器件导通电阻约8.2mΩ,源漏击穿电压稳定在34V以上,正常工作电流可达5A,开启电压和漏电流也稳定在要求范围内.
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关键词
高功率
U形多晶硅栅金属氧化物半导体
沟槽深度
击穿电压
良率
原文传递
题名
沟槽深度对UMOS功率器件电学性能的影响
1
作者
张金英
华光平
纪新明
周嘉
黄宜平
机构
复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室微电子研究院
上海先进半导体制造股份有限公司
出处
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期506-510,共5页
文摘
采用0.35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件,芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联,以获得高的击穿电压和大的工作电流.研究发现,沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响,且最终影响量产中的良率.实验表明,在相同的工艺条件下,沟槽深度为1.65μm(试验范围为1.60~1.95μm)时,Ф200mm晶片的良率可达98%以上,器件导通电阻约8.2mΩ,源漏击穿电压稳定在34V以上,正常工作电流可达5A,开启电压和漏电流也稳定在要求范围内.
关键词
高功率
U形多晶硅栅金属氧化物半导体
沟槽深度
击穿电压
良率
Keywords
high-power
UMOS
trench depth
breakdown voltage
yield
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
沟槽深度对UMOS功率器件电学性能的影响
张金英
华光平
纪新明
周嘉
黄宜平
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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