硅中缺陷的透射电镜观察

随着集成电路制造工艺技术的不断进步,器件线宽不断减小,硅材料中缺陷的危害越来越不可忽视。通过TEM观察了硅中氧沉积、工艺诱生缺陷等并对之进行了分析。