磁控溅射制备Ta_2O_5/TiO_2薄膜及其光学与电学性能的研究

用直流平面磁控溅射沉积薄膜的方法在Si和玻璃基片上制备了Ta2O5／TiO5混合薄膜。薄膜的透射光谱研究结果表明，在TiO2掺入浓度为0到17％，薄膜的折射率从2.08到2.23。薄膜折射率与掺入TiO2的浓度是近线性关系。薄膜的MOS电容器的I—V和C－V测量表明，经过退火处理能够提高Ta2O5／TiO2混合薄膜的介电常数。