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磁控溅射制备Ta_2O_5/TiO_2薄膜及其光学与电学性能的研究 被引量:1
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作者 傅正文 张胜坤 +1 位作者 秦启宗 章壮健 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1999年第2期186-190,共5页
用直流平面磁控溅射沉积薄膜的方法在Si和玻璃基片上制备了Ta2O5/TiO5混合薄膜。薄膜的透射光谱研究结果表明,在TiO2掺入浓度为0到17%,薄膜的折射率从2.08到2.23。薄膜折射率与掺入TiO2的浓度是近线性关系。薄膜的MOS电容器的I—V和... 用直流平面磁控溅射沉积薄膜的方法在Si和玻璃基片上制备了Ta2O5/TiO5混合薄膜。薄膜的透射光谱研究结果表明,在TiO2掺入浓度为0到17%,薄膜的折射率从2.08到2.23。薄膜折射率与掺入TiO2的浓度是近线性关系。薄膜的MOS电容器的I—V和C-V测量表明,经过退火处理能够提高Ta2O5/TiO2混合薄膜的介电常数。 展开更多
关键词 二氧化钛 五氧化二钽 磁控溅射 混合薄膜 薄膜
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