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Cu_2ZnSnS_4类四元硫族半导体的理论研究--以二元、三元、四元半导体的演化为思路
被引量:
6
1
作者
陈时友
龚新高
+1 位作者
Aron Walsh
魏苏淮
《物理》
CAS
北大核心
2011年第4期248-258,共11页
在过去60多年中,人们对半导体的研究集中在一元、二元和三元半导体方面,最近,出于寻找新型廉价、环保、高效光伏转换材料的需要,Cu2ZnSnS4类Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ- Ⅵ4型四元硫族半导体吸引了人们越来越多的关注,它在光催化和热电等多方面的应用也...
在过去60多年中,人们对半导体的研究集中在一元、二元和三元半导体方面,最近,出于寻找新型廉价、环保、高效光伏转换材料的需要,Cu2ZnSnS4类Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ- Ⅵ4型四元硫族半导体吸引了人们越来越多的关注,它在光催化和热电等多方面的应用也不断被发掘.然而,对于这类四元半导体的基本性质,如晶体结构和电子结构,人们知之甚少,很多研究还停留在经验阶段.文章首先简要回顾了这类半导体的由来和在应用方面的最新进展,然后详细介绍了文章作者对这类四元半导体的第一性原理计算研究工作的进展,其中包括:系统研究了这类硫族半导体在从二元向三元再向四元的演化过程中晶体结构和电子能带结构变化的规律,总结了元素成分对其影响的一般趋势,并结合实验结果分析了这类四元半导体晶格结构表征和带隙测量中易于出现的混淆;文章作者还以Cu2ZnSnS4为例,考察了这类四元化合物相对二元、三元化合物的相稳定性和本征缺陷性质.文章介绍的研究结果将为一系列Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ- Ⅵ4型四元半导体的深入研究提供基础.
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关键词
Cu2ZnSnS4
四元硫族半导体
晶体结构
电子结构
缺陷
第一性原理计算
原文传递
题名
Cu_2ZnSnS_4类四元硫族半导体的理论研究--以二元、三元、四元半导体的演化为思路
被引量:
6
1
作者
陈时友
龚新高
Aron Walsh
魏苏淮
机构
复旦大学物质计算科学教育部重点实验室
华东师范
大学
极化材料与器件
教育部
重点
实验室
伦敦
大学
学院化学系
美国可再生能源国家
实验室
出处
《物理》
CAS
北大核心
2011年第4期248-258,共11页
基金
国家自然科学基金(批准号:10934002
10950110324)
+3 种基金
国家重点基础研究发展计划
教育部专项基金
上海市自然科学基金(批准号:10ZR1408800)
美国能源部基金(批准号:DE-AC36-08GO28308)资助项目
文摘
在过去60多年中,人们对半导体的研究集中在一元、二元和三元半导体方面,最近,出于寻找新型廉价、环保、高效光伏转换材料的需要,Cu2ZnSnS4类Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ- Ⅵ4型四元硫族半导体吸引了人们越来越多的关注,它在光催化和热电等多方面的应用也不断被发掘.然而,对于这类四元半导体的基本性质,如晶体结构和电子结构,人们知之甚少,很多研究还停留在经验阶段.文章首先简要回顾了这类半导体的由来和在应用方面的最新进展,然后详细介绍了文章作者对这类四元半导体的第一性原理计算研究工作的进展,其中包括:系统研究了这类硫族半导体在从二元向三元再向四元的演化过程中晶体结构和电子能带结构变化的规律,总结了元素成分对其影响的一般趋势,并结合实验结果分析了这类四元半导体晶格结构表征和带隙测量中易于出现的混淆;文章作者还以Cu2ZnSnS4为例,考察了这类四元化合物相对二元、三元化合物的相稳定性和本征缺陷性质.文章介绍的研究结果将为一系列Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ- Ⅵ4型四元半导体的深入研究提供基础.
关键词
Cu2ZnSnS4
四元硫族半导体
晶体结构
电子结构
缺陷
第一性原理计算
Keywords
Cu2ZnSnS4
quaternary chalcogenide semiconductors
crystal structure
electronic structure
defects
first-principles calculation
分类号
O471 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cu_2ZnSnS_4类四元硫族半导体的理论研究--以二元、三元、四元半导体的演化为思路
陈时友
龚新高
Aron Walsh
魏苏淮
《物理》
CAS
北大核心
2011
6
原文传递
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参考文献
引证文献
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