负离子与气体碰撞单电子脱附的实验研究

本文主要介绍我们在负离子与气体碰撞单电子脱附实验研究中采用的方法和装置。该实验利用增长率测量法 ,由于实验测量中采用同一个粒子探测器对入射束和产生的中性粒子进行测量 ,大大降低了实验误差。实验系统由铯溅射负离子源、同位素分离器、反应靶室和粒子探测器组成。负离子的能量范围为5～ 30keV ,实验结果的不确定度约为± 8%。

负离子光致脱附实验中基于飞行时间法的电子谱仪的研制

负离子光致脱附电子谱的研究是目前国际上比较热门的课题。在本文中将介绍基于飞行时间法的电子能谱仪的研制工作。基于此谱仪的特点 ,配合合适的电场 ,可以转换成为探测立体角为 4π的电子动量谱仪。

吸气剂材料的吸氢动力学理论

以非蒸散型吸气剂材料为研究对象,提出了一种吸氢动力学的基本模型。氢的吸入过程将由表面吸附、表层渗透和体内扩散3步组成。通常情况下,必须对它们的动力学方程同时求解。在氢通过化学解离吸附进入体内(亚表面层)的吸入过程中,表面势垒对氢从表面渗透至体内的障碍作用不可忽略。在低的体氢浓度条件下,采用晶格 气体模型描述体扩散过程,并讨论了影响吸气速率的因素。

直流磁控溅射法制备含氦铝膜

采用氦氩混合气氛下直流磁控溅射沉积方法制备含有氦原子的金属铝膜。经碳原子弹性前冲散射分析(C-ERDA),薄膜中氦原子浓度可达约7%,且分布均匀。实验研究了薄膜中的氦含量与溅射真空室气氛中氦的相对含量、基底偏压及沉积温度间的关系。薄膜的X射线衍射分析结果显示:膜中的氦含量变化并未引起明显的峰位移,只是随氦含量增加谱峰宽化。热释放实验证实,氦在薄膜中稳定存在,约500℃以上时方出现氦的释放。

多层膜样品的背散射/沟道、溅射剥层/背散射和二次离子质谱分析

用背散射 /沟道、溅射剥层 /背散射和二次离子质谱方法分析了分子束外延生长的Si/GexSi1-x多层膜 .由 2MeV 4He+ 离子背散射 /沟道分析 ,确定了外延生长薄膜的厚度、组分和晶格结构的完美性 ;用低能Ar+ 离子溅射剥层 ,减薄样品外延层厚度后 ,再做背散射分析 ,可获得有关较深层薄膜与基体界面和溅射剥层的信息 ;