MFIS结构的C-V特性

研究了运用 SOL- GEL方法制备的 Au/PZT(铅锆钛 ) /Zr O2 /Si结构电容即 MFIS(Met-al/Ferroelectric /Insulator/Semiconductor)电容的方法 ,并对其进行了 SEM、C- V特性测试及Zr O2 介质层介电常数分析 .研究了 C- V存储窗口 (Memory Window)电压与铁电薄膜和介质层厚度比的关系 ,得出 MFIS电容结构中最佳铁电薄膜和介质层厚度比为 7— 1 0左右 ,在外加电压- 5V- +5V时存储窗口可达 2 .52 V左右 .