EXAFS研究加氢处理催化剂载体中Y型分子筛对催化性能的影响

运用广延X射线吸收精细结构技术对经Y型分子筛改性前、后的加氢处理催化剂Ni W γ Al2 O3样品的W的LⅢ吸收边和Ni的K吸收边进行了结构分析。结果发现 ,经Y型分子筛改性后的催化剂Ni W γ Al2 O3体系中活性组分Ni和W的局域原子环境有所变化 :催化剂中组分的八面体结构变得松散 ,W—O键较弱 ,O易于在加氢脱硫反应中被替代 ,而催化剂表面金属Ni组分浓度略有增加 。

含US-SSY分子筛的Ni-W-γ-Al_2O_3体系的EXAFS研究

运用EXAFS技术分别对含有自冷和急冷US-SSY分子筛的Ni－W－γ－Al_2O_3样品中的w的LⅢ吸收边和Ni的K吸收边进行了结构分析。结果表明分子筛超稳化后的冷却速率对样品中原子的局域结构有影响，进而影响了样品的催化活性。急冷样品中W的分散度比自冷样品差，其八面体结构含量较高，并有钨钼氧原子簇产生。但急冷催化样品中Ni具有较高的分散度，Ni-W间距小，较易形成“Ni－O－W”物种。由于八面体结构中的氧在加氢脱硫反应中较易被硫取代，且“Ni-O-W”物种是HDS反应的活性前驱体，导致急冷样品具有较高的HDS活性。加快分子筛超稳化后的冷却速率可提高催化剂样品的活性。

真空设备与检测仪器的世纪回顾

真空设备与检测仪器在２０世纪内迅速发展，现在已得到广泛应用且与所有的高技术都密切相关。本文扼要回顾了本世纪国内外一些重要的成就，并对未来作了展望。

离子轰击铜-镍合金影响层的研究

利用最小二乘法计算机拟合法,研究了铜-镍合金在离子轰击下,其表面铜、镍元素的浓度变化。表面分析用扫描俄歇微探针PHI-590型进行。研究证明:在影响层内元素的分布是不均匀的,影响层厚度大于15(?)A,并且这种不均匀的分布随轰击离子能量变化而变化。在停止轰击的40分钟内,未见表面元素变化。从铜-镍合金的俄歇谱分析可知,合金能带的刚性能带理论并不适合本研究系统。

YBCO中氧原子近邻结构的温度相关性的EXAFS研究

运用定向EXAFS（E‖a）技术对高温超导材料YBa2Cu3O7－δ在不同温度下氧原子的K吸收边进行了分析，获得了材料温度从77K到105K的EXAFS信息，发现在整个温度变化过程中，O－Cu原子对的平均间距未发生改变，但表征其键长有效涨落的德拜－瓦勒因子有一个稳定的增长。

离子激发俄歇发射强度和离子能量关系的研究

实验研究了Al、Si样品的离子激发俄歇发射现象,测定了类原子信号强度和入射Ar^+离子能量的关系曲线。基于目前普遍接受的退激发观点,即类原子信号源自溅出的受激原子在体外退激发的过程。提出了一个类原子信号强度和入射离子能量的关系表达式,它和实验结果符合良好。在该表达式和实验数据的拟合中,可以求得Al和Si离子激发俄歇发射的阈值分别为350eV和790eV,和近期发表的结果符合良好。

提高正离子发射的研究

本文提出了一种通过增加正离子发射以提高卤素检漏仪灵敏度的可能性。采用陶瓷棒涂复硅酸钾胶体作为发射体的热子,以实现碱金属离子的持续补充。另外,为改进其热稳定性,圆形截面之陶瓷棒被磨去了一弓形部分。测试结果表明,与常规的设计相比,本设计可增加信号离子流数倍以上。

2000:薄膜与真空器件

回顾了真空电子器件二十年来的发展，并对今后七年薄膜与真空器件研究和生产的若干趋势作了扼要的叙述。在电子束管方面，高清晰度显象管、扁平显示管、飞点管、高分辨率、等离子体监视屏等仍将继续发展并占有重要的地位。在薄膜方面，硬膜、超导膜和亚稳态薄膜的研究将仍然是真空科学方面的热点。真空微电子器件面临的抉择则在于能否得到新构思的支撑。最后对本学科总体的一些问题提出了看法。

物理气相淀积成膜的计算机模拟

运用蒙特卡罗方法，模拟了不同条件下的物理气相淀积薄膜生长过程。在40×40个原子的简单立方单晶（100）面上，模拟计算了不同条件下所成简单立方单晶薄膜的生长情况，得出了覆盖率、成膜速率、稳定性与基体温度、蒸气压强的关系。模拟计算结果与理论和实验一致。

钛膜吸氢与释氢特性的研究

在ＳＫＬ－１２型多功能谱仪的预处理室中，采用超高真空镀膜的方法，得到了表面清洁的钛膜。对表面清洁及表面一定量氧污染的钛膜进行了吸氢，释氢实验，并用理论模型拟合实验数据。结果表明：表面氧污染使钛膜吸氢能力降低，其原因在于氧原子占据了钛膜表面的吸附位置，使Ｈ２解离为原子的几率降低。

俄歇电子全息的计算机模拟研究和数值重现

原子的芯能级电子吸收能量后被激发 ,经过退激发过程发射出的俄歇电子波在传播过程中被周围的原子散射 ,带有周围原子结构信息的散射波 (物波 )与未被散射的电子波 (参考波 )相干涉形成的衍射图即俄歇电子全息图 ,通过全息图的重现 ,可获得原子级分辨率的三维结构信息。本文在合理的物理模型下 ,以Cu单晶以及高温超导YBCO中的Y原子近邻的一些原子簇为计算实例 ,首次就受激原子周围单层近邻原子散射和多层原子散射产生的俄歇电子全息进行了计算机模拟和数值重现 ,获得了三维晶格结构参量 ,并讨论了不同原子序数的原子在全息图形成及重现中的作用。

SiO_2/Si表面电子谱的因子分析法研究

用因子分析法在扫描俄歇微探针（SAM）上研究了SiO2／Si的俄歇深度剖面分析。采用Ar＋离子刻蚀SiO2／Si样品，分别采录具有高表面灵敏度和化学态灵敏度的低能SiLVV俄歇跃迁和OKLL俄歇跃迁。用因子分析法可得到一致的结果：SiO2／Si界面上存在中间过渡化学态SiOx（0＜x＜2），以及SiO2经Ar＋离子刻蚀后产生少量（约10％）的SiOx及相当一部分（约30％～50％）的SiO2的另一状态SiO2*。

过渡金属氮化物防扩散阻挡薄膜研究

用“S”枪磁控反应溅射制备TiN、ZrN和三元化合物(Ti、Zr)N薄膜。这些薄膜的电阻率在40～190μΩ·cm范围。它们与n^+型硅的接触电阻在10^(-3)～10^(-6)Ω·cm^2量级;与P型硅的接触电阻为10^(-3)Ω·cm^2量级。与n型硅形成的肖特基势垒高度为0.39V。TEM分析显示三种氮化物薄膜均为多晶结构。RBS、SAM和XRD的分析都表明TiN和ZrN薄膜作为防止铝/硅互扩散阻挡层所能承受的最高温度是600℃,(Ti、Zr)N为550℃。

层状材料的总电流谱研究

总电流谱(TCS)是一种新的表面分析手段。我们用自制的谱仪研究了多晶石墨及热解石墨(HOPG)的TCS谱图,首先发现了多晶石墨存在有表面等离子激发峰。

高空间分辨率的出现电势谱

在PHI-590型扫描俄歇微探针上扩展了出现电势谱的测量功能,此出现电势谱具有上靶电子束流小(几个微安)、空间分辨率高(小于一个微米)的特点,并可用在线计算机控制测量过程。

电子光学系统最优化设计中的科学计算可视化技术

在提出的电子光学系统最优化设计与科学计算可视化相结合的新构想──可视化最优化设计中，以电子发射系统为例，提出了一种有效方法：逆向匹配插值法，可以将代化搜索过程中电子轨迹显示成电子束密度分布，进而为电子光学系统最优化设计实现实时控制和在线判断提供了可能性。还与类蒙特卡罗方法作了比较和讨论。

薄膜淀积过程中的电荷转移

本文介绍了一种用满足一定条件的俄歇谱线的峰－峰幅度值来研究局域电子态密度的方法。并用此方法研究了成膜原子与衬底原子间的电荷交换行为。结果表明当Ｃｕ（Ｎｉ）淀积到衬底Ｎｉ（Ｃｕ）的初期阶段，Ｎｉ的部分价带电子转移到Ｃｕ中。同样结果也发生在Ｃｕ淀积到Ｍｏ衬底上的情况。本研究表明，薄膜的一些宏观性质（如膜层和衬底的粘附）可以和微观的现象相联系。

电子全息高分辨率三维数值重现

对电子全息图进行计算机三维数值重现时 ,由于样品各层电子衍射的干扰 ,影响了纵向分辨率的提高。本文提出一种基于多能量电子全息图数值重现像叠加原理的新方法 ,可以提高电子全息数值重现纵向分辨率 ,从而实现真正的三维数值重现的含义。还通过计算机模拟研究的手段对该原理和方法的有效性进行了验证 。

表面氧污染影响钛膜吸氢量的机理

表面氧污染的钛膜，其吸氢能力比清洁钛膜降低达数倍之多。在厚度ｄ＝４００Ａ，表面氧污染的钛膜上重新蒸镀，使其表面再生一层极薄的清洁钛膜。吸氢，释氢测量表明其吸氢能力得到恢复。