(Al_xGa_(1-x)As)_m/(GaAs)_m(001)超晶格的能带结构与合金组分x间的关系

采用紧束缚的重整化方法研究了(Al_xGa_(1-x)As)_m/(GaAs)_m(001)超晶格的电子能带结构与合金组分x及层厚间的变化关系。给出了临界组分x_o与层厚m间的变化关系图。并以二次函数形式给出了直接能隙和间接能隙与合金组分x间的变化关系。最后,也用Kronig—Penney模型对超晶格的电子能带结构进行了计算,并与紧束缚的计算结果进行了比较。

与InP晶格相匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)半导体的光学常数计算

采用半经验的紧束缚方法计算了与InP晶格相匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)半导体的电子联合状态密度及介电常数虚部,并根据Kramers-Kronig关系式求得了光透明区的折射率常数.

半导体合金介电常数的紧束缚计算

采用经验的紧束缚方法,在虚晶近似下,计算了与InP晶格相匹配的半导体合金Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)的介电常数虚部.计算时同时考虑了动量矩阵元的效应.