“S”枪溅射法制备钇钡铜氧高温超导薄膜

用单靶“S”枪溅射原位退火的方法,在氧化锆基体上制得厚度约0.5μm的钇钡铜氧高温超导薄膜,其临界温度T_c在85～90 K范围内,77 K时的临界电流密度大于5×10~5A/cm^2数量级。X射线衍射分析显示出薄膜呈高度c轴取向。同时用卢瑟福背散射和俄歇电子谱分析了薄膜的组分,并用超导量子干涉器件RF-SQUID测量了薄膜的磁化率。