热处理生产过程控制系统的开发与应用

介绍了利用VISUAL C++6.0和SQL Server 2000为软件开发工具、W indows 2000 Advanced Server为软件开发平台开发的一套热处理生产过程控制系统,它包括以下4个模块:热处理工艺库管理模块,实现热处理工艺规程的计算机辅助设计,并可对新材料进行数值模拟,从而优化工艺;热处理过程控制模块,实现生产过程的高精度控制;设备管理模块和系统维护模块,实现设备、仪表、备件等的维修维护记录管理。并且较详细地论述了各模块功能的实现。该系统通过测试运行,达到预先的设计要求。

ABS复合平板材料屏蔽及吸波效能的分析

针对高分子材料在电磁屏蔽领域的应用前景 ,研究了炭黑质量分数以及夹附铜网对ABS复合平板材料屏蔽效能的影响。结果表明 ,当炭黑质量分数达到 3 5 %时 ,体积电阻率达到最低值 ,约为 10 3 Ω·cm ,屏蔽效能增加到 6dB ;夹附金属网时 ,屏蔽效能达到 3 0～ 40dB。最后在不同频段分析了炭黑用量为 3 5

聚合物基拉敏导电材料的制备及其屏蔽效能的理论预测

研究了不同导电填料填充液体硅橡胶的电阻率及屏蔽值随填料配比、拉力的变化特性。发现在低阻值情况下可用Schelkunoff理论较好地描述其屏蔽效果,且屏蔽值随着阻值的改变产生了类似于渗滤现象的突变;在102Ω·cm以下随着电阻率的降低,屏蔽效果迅速增加。同时根据隧道导电理论推导了其阻值随拉力的变化关系,可近似用二次多项式表示,将实验结果按此式拟合,符合得很好。

Zr-二十面体准晶-十次准晶伪三元系中非晶的形成

分析了块状非晶与稳定准晶结构上的异同点,选择两种稳定准晶(二十面体准晶和十次准晶)相互混合,在保持准晶二十面体基本结构单元的基础上,增加元素组成的混乱度,再添加有利于形成高配位多面体的元素Zr,用急冷方法制备出非晶合金。对此非晶合金的热力学测试表明,该非晶形成能力和稳定性与Inoue的Zr_(65)Al_(7.5)Cu_(17.5)Ni_(10)非晶相近。

GaN生长工艺流程实时监控系统

分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素。在此基础上,设计了一套以80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统,用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控,并提出了一种合适的工艺流程监控策略。

强磁场作用对聚苯胺颗粒形貌及电性能的影响

聚苯胺的聚合掺杂条件对其颗粒结构及其导电性能有着很大的影响.本文在10T强磁场的作用下用化学氧化溶液原位聚合法得到聚苯胺并观察充分聚合后聚苯胺的颗粒结构、形貌特征及与其形成复合材料的电性能.实验表明,在没有强磁场作用下掺杂聚苯胺颗粒呈现礁石状,而强磁场作用下的原位聚合聚苯胺颗粒呈现直径大约50nm的棒状,但其复合材料的电阻率与没有强磁场相比高出3个数量级;本征态聚苯胺在强磁场下再掺杂得到20～30nm的球状颗粒,其复合材料电阻率却降低1个数量级.分析认为这主要由于强磁场对聚苯胺晶粒的取向作用以及强磁场对聚合掺杂过程的影响所至.

几种元素对工业纯铝导电性的影响

研究了工业纯铝中加入镁、钙、硅、铁对其导电性的影响 .结果表明 :硅在铝中引起电阻率的增加最大 ,铁最小 ,因此 ,铁是强化铝导体的首选元素 .铝中铁硅质量比在 3 .0～ 3 .8时 。

中位-四-(对十六酰氧基)苯基卟啉的合成与表征

本文以四 (对羟基苯基 )卟啉与十六酰氯为原料 ,通过酯化反应合成了中位 四 (对十六酰氧基苯基 )卟啉 ,采用红外光谱监测了反应进程 ,以硅胶为固定相、氯仿为洗脱剂采用柱层析方法对反应产物进行了分离与提纯。最后用元素分析、紫外可见光谱 ,红外光声光谱、核磁共振氢谱、摩尔电导等手段对合成产物进行了结构表征 ,对主要的紫外光谱、红外光谱及核磁共振氢谱吸收带进行了经验归属 ,初步确定了合成产物的结构。

变形镁合金熔焊接头组织特征分析

采用光学显微镜、X射线衍射仪 (XRD)和电子探针 (EPMA)等分析测试手段 ,对变形镁合金AZ31B的TIG焊接头进行了微观组织观察、相组成和微区成分分析试验。结果发现在熔焊条件下AZ31B镁合金焊缝附近的纤维组织消失 ,在焊缝区出现了细晶粒 ,而热影响区 (HAZ)的晶粒明显粗大。进一步研究发现焊缝区的晶粒主要呈细小的等轴晶 ,室温组织是由δ -Mg相和γ -Mg17Al12 化合物两相组成。分析还发现焊缝区的Mg含量低于母材 ,而Al的含量则高于母材 ;电子探针分析发现Mg、Al、Zn元素存在成分偏析现象。

贝壳的傅立叶变换红外光谱和热分析

通过傅立叶变化红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)和差热(DSC)等技术分析了蜘蛛螺贝壳粉末的成分和热行为。XRD和DSC结果表明蜘蛛螺贝壳是由文石型碳酸钙构成,在300℃文石转变为方解石。红外光谱表明在海螺壳的有机质中存在NH,OH和amide等官能团,在文石晶格或有机与晶体的界面处存在HCO3-原子团。加热后的FT-IR特征峰的峰型和峰位表现出明显的变化,这些变化说明在250℃加热1 h后贝壳的有机质部分发生分解;在500℃～600℃时海螺壳中的有机质仍然没有完全分解,揭示出贝壳具有良好的热稳定性。

中位—四—（对十六酰氧基苯基）卟啉及其锌配合物的合成、表征与液晶性

首次合成出中位-四-(对十六酰氧基苯基)卟啉(TPPPH2)及其锌配合物(简称'PPZn),研究了其液晶性质,结果表明这种卟啉及其锌配合物具有液晶性质.

纳米纤维状微结构乙炔聚合物的相变研究

在真空中对由乙炔聚合制备的纳米纤维采用百种处理工艺进行升温相变处理，即及时抽出反应产生的气体以保持真空度和不抽出反应产生气体．TEM观察发现相变前后的微观形态均为纤维状，IR实验结果表明在两种不同处理工艺条件下得到的产物不同．在第一种处理工艺条件下，随温度升高纳米纤维发生链断裂和碳化，且相变产物的电阻越来越小，在700℃以上得到具有较高导电性的纳米导电纤维，XRD实验表明相变后产物虽未石墨化但结晶性增强，相变后产物具有较高导电性的原因可能是由于其具有类似于石墨联的离域大π键结构以及纳米钢粒子自由电子的贡献．而第二种处理工艺由于未将分解产生的小分子及时抽出使得制备的产物只发生部分碳化，导电性能较差．

5A分子筛负载纳米镍铈粒子在气相苯加氢反应中的催化活性

将纳米镍铈粒子负载到５Ａ分子筛上制成负载型催化剂，用气相苯加氢反应考察其催化活性，并通过ＳＥＭ和ＸＲＤ技术检测反应前后催化剂上纳米金属粒子的分散及晶相变化情况．与非负载型纳米镍铈粒子催化剂进行比较，结果显示二者的催化活性与纳米镍铈粒子的储氢特性及表面层中铈镍合金的存在有关．负载型催化剂具有高的选择性和稳定性；催化剂载体对催化剂的催化活性无促进作用．

高频磁场电磁净化模拟

为了更准确地分析高频交变电磁场对金属熔体中的非金属夹杂物的去除效果,分别利用硅含量为18%、12.6%和10%3种铝硅合金所生成的尺寸为100、50和10μm的硅块来模拟非金属夹杂物以进行电磁净化实验研究。实验证明:生成的硅块可以更好地模拟金属液中单个的非金属夹杂物;施加电磁场后发现,电磁挤压力对单个尺寸在100和50μm的非金属夹杂物的去除效果明显,同时也可以去除10μm左右的非金属夹杂物。

晶粒尺寸对Cu—10Ni合金高温氧化行为的影响

研究了晶粒尺寸差异显著的两种Ｎｉ含量（质量分数，％，下同）为１０％的Ｃｕ基合金在８００～９００℃空气中的氧化．两种合金的氧化膜结构类似，外层由ＣｕＯ和内侧较厚的Ｃｕ２Ｏ组成，内层为多孔的分布着ＮｉＯ颗粒的Ｃｕ２Ｏ，并发生了Ｎｉ的内氧化．具有较小晶粒尺寸的合金内外氧化膜生长速率均高于粗晶合金．这种差异在于细晶合金中合金与氧化膜的晶粒尺寸降低后提供了更多的晶界短路扩散通道，从而增加了氧在合金中及氧与Ｃｕ在氧化膜中的有效扩散系数．

导电炭黑填充室温硫化硅橡胶的屏蔽性能

研究了导电炭黑及镍粉等导电填料填充室温硫化(RTV)硅橡胶的电阻率及屏蔽值随填料配比、拉力的变化特性。结果表明,在低阻值情况下可用Schelkunoff理论较好地描述其屏蔽效果,且屏蔽值随着电阻值的变化产生了类似于渗滤现象的突变;在102Ω·cm以下随着电阻率的降低,屏蔽效果迅速增加。同时根据隧道导电理论推导了电阻值随拉力的变化关系,该关系式可近似用二次多项式表示,并对实验结果进行很好地拟合。

Zr_(65)Al_(7.5)Ni_(10)Cu_(17.5)块状非晶晶化过程的电镜研究

用透射电镜对Zr65Al7.5Ni10 Cu17.5块状非晶合金的晶化过程进行了研究。发现晶化过程的不同阶段相的组成是不同的。710K时 ,主要是tI CuZr2 相和tP Al2 Zr3 相 ,两者有固定的取向关系 :[0 10 ]tI∥ [0 10 ]tP,(10- 3) tI∥(2 0 2 ) tP。在 76 0K时 ,除了前面的两个相外 ,又出现了hP2 Al2 NiZr6相和hP3 α Zr相 ,两者也有固定取向关系 :[113]hP2 ∥ [0 0 1]hP3 ,(14- 1) hP2 ∥ (2 1- 0 ) hP3 。根据它们的晶格常数的相似性可以把晶化相归纳为两类 :tI ,oC ,hP3 和tP ,hP1,hP2 。这些相都是Zr基的 ,但前者富Cu和Ni,后者富Al。用电镜得到的结果来标定X射线衍射谱 ,结果吻合很好。

强磁场对聚苯胺颗粒结构的取向性研究(英文)

聚苯胺颗粒结构对其电学、光学性能有很大的影响.本文首次在10T强磁场的作用下用化学氧化溶液原位聚合法得到聚苯胺并观察充分聚合后聚苯胺的颗粒结构、形貌牲.强磁场作用下的原位聚合聚苯胺颗粒呈现大约50nm的棒状,而对本征态聚苯胺在强磁场下再掺杂得到20～30nm的球状颗粒,与未加强磁场作用下的礁石状颗粒有明显区别.分析认为这是由于强磁场对聚苯胺晶粒的取向作用所至.

导电型室温硫化硅橡胶的屏蔽性能及拉敏特性研究

以α. ω -二羟基聚二甲基硅氧烷为基胶、正硅酸乙酯为交联剂、二月桂酸二丁基锡为催化剂、特导电华光炭黑 (HG - 1B)或中超耐磨炭黑 (N 2 34)为填料、环己烷为稀释剂 ,制成了适于灌封的导电型硅橡胶 ;研究了导电硅橡胶的屏蔽性能及拉敏特性。结果发现 ,在低阻值下可用Schelkunoff理论较好地描述其屏蔽效果 ;根据量子力学隧道效应推导出的电阻值随拉力的变化关系可近似地用二次多项式表示 ,且与实验结果很吻合 ;当硅橡胶具有最大的拉敏特性时 ,其导电性能与力学性能具有最佳的结合点 ,此时N 2 34和HG - 1B的用量分别为 30～ 4 0份和 8～

TiNi形状记忆合金回复力模型

通过修正Clausius Clapeyron方程 ,使之在马氏体分数不断变化的条件下仍然适用 ,并在此基础上建立了TiNi形状记忆合金的回复力模型 ,模型中的参数均可通过实验确定 .利用此模型 ,使用典型的TiNi形状记忆合金性能参数 ,计算得到了TiNi形状记忆合金回复力与温度的关系曲线 ;与实验测试曲线的对比表明 。