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带使能控制的低功耗BiCMOS带隙基准电压源的设计
1
作者
冯秋霞
刘军
+1 位作者
蒋国平
孙俊岳
《电子科技》
2007年第12期54-59,共6页
基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种高稳定性、低功耗以及带有使能控制的带隙基准电压源,利用HSPICE仿真工具对电路进行了仿真。在3.6V的电源电压和27℃室温下,输出的基准电压约为1.248V,其温度系数为15×10-6/℃;当电源电压在2.7V~5...
基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种高稳定性、低功耗以及带有使能控制的带隙基准电压源,利用HSPICE仿真工具对电路进行了仿真。在3.6V的电源电压和27℃室温下,输出的基准电压约为1.248V,其温度系数为15×10-6/℃;当电源电压在2.7V~5.5V变化时,基准电压仅变化10 mV;同时电路亦输出逻辑使能信号;在全条件下,整个电路的最大功耗约为65.45μW。因具有低功耗和使能控制等特性,所以他可广泛应用在各种开关电源等芯片内部。
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关键词
带隙基准电压源电路
BICMOS
使能控制
低功耗
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职称材料
题名
带使能控制的低功耗BiCMOS带隙基准电压源的设计
1
作者
冯秋霞
刘军
蒋国平
孙俊岳
机构
大连理工大学电子与工程系
出处
《电子科技》
2007年第12期54-59,共6页
文摘
基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种高稳定性、低功耗以及带有使能控制的带隙基准电压源,利用HSPICE仿真工具对电路进行了仿真。在3.6V的电源电压和27℃室温下,输出的基准电压约为1.248V,其温度系数为15×10-6/℃;当电源电压在2.7V~5.5V变化时,基准电压仅变化10 mV;同时电路亦输出逻辑使能信号;在全条件下,整个电路的最大功耗约为65.45μW。因具有低功耗和使能控制等特性,所以他可广泛应用在各种开关电源等芯片内部。
关键词
带隙基准电压源电路
BICMOS
使能控制
低功耗
Keywords
bandgap reference voltage circuit
BiCMOS
enable - control
low power consumption
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
带使能控制的低功耗BiCMOS带隙基准电压源的设计
冯秋霞
刘军
蒋国平
孙俊岳
《电子科技》
2007
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