CMP加工中的真空吸盘区域压力控制技术

目前半导体制造技术已经进入0.13μm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术。根据下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)面型精度和表面完整性的要求,分析了CMP(化学机械抛光)加工中大尺寸硅片夹持的关键之一—区域压力控制技术穴ZoneBackPressureControl雪,介绍了采用区域压力控制技术的必要性和理论基础,以及国内外研究现状和最新进展,并指出了该技术存在的问题与发展趋势。

应用软磨料磨削的单晶硅超精密制造技术

在分析软磨料砂轮化学机械磨削(CMG)技术的基础上,开发研制了主料分别为Fe2O3和MgO的杯型软磨料砂轮。利用开发的两种软磨料砂轮对Ф150mm的单晶硅光学表面进行纳米级精度的对比磨削加工,优选出最佳磨削参数,将CMG的结果与金刚石砂轮磨削结果、化学机械抛光(CMP)结果进行对比研究,并对加工后工件的表面与亚表面损伤进行检测分析。结果表明,MgO软磨料砂轮具有十分稳定的磨削性能,能够获得较好的形状精度和表面亚表面质量,采用三维表面轮廓仪和原子力显微镜测量CMG后的工件表面分别得到0.568nmRMS和0.554nmRq的表面粗糙度,达到了CMP的加工效果,角度抛光法显示CMG后的工件亚表面损伤深度接近0。