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梯形凸台衬底内条形半导体激光锁相列阵 被引量：1
1
作者 张世林 梁惠来 +1 位作者 原小杰 杨德林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期124-126,共3页
在P型GaAs梯形凸台衬底上,利用一次液相外延技术,研制出内条形半导体激光锁相列阵.在直流工作条件下,单面最大输出功率超过136mW,平行于结平面方向远场半角宽度2.1°,器件最高激射温度超过80℃.
关键词 半导体 激光 锁相列阵 液相外延
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