单电子晶体管及其工艺制作技术

基于库仑阻塞效应和量子尺寸效应工作的单电子晶体管(SET)由于具有超小器件尺寸、超低功耗、超低工作电流和超高工作频率等特点,受到人们的重视和深入研究。本文通过简要介绍SET的器件结构、原理和特性,分析了实现SET的关键因素,回顾和评述了SET制作技术的进展及前景。

微机械叉指换能器声表面波陀螺

回顾了声表面波(SAW)陀螺发展史,总结了声表面波陀螺设计思想的变迁,重点介绍了一种新型微机械-叉指换能器(MEMS-IDT)声表面波陀螺。它具有适合标准IC工艺生产的简单二维结构,具备体积小、成本低、便于批量生产以及不用真空封装的特点。由于没有普通微机械陀螺的悬浮机构,抗冲击及振动的能力较普通微机械陀螺显著提高。同时,提出了一些迫待解决的问题。

高频大带宽长延迟线

用简明的图示法推导出倒相换能器及采用倒相换能器的声表面波延迟线的频率响应,并给出了不同加权系数对延迟线性能影响的模拟曲线,最后制作了f0=700MHz,△f3dB≥200MHz,△t=16μs的高频长延时单倒相声表面波延迟线,取得了满意的实用效果。

NIDS中正则表达式匹配电路的改进与优化

对网络入侵检测系统(NIDS)中复杂正则表达式匹配电路进行改进和优化。为达到最大吞吐量和最小的单位字符占用资源量,设计利用预译码、前缀树、规则分组、并行处理等方法进行结构优化。实验结果表明,改进后的电路结构提高了约47%匹配速度,缩减了约39%的电路面积,具有较低的资源占用和更广泛的适用性。

Si-Ge异质结基区BMHMT三端特性的器件模拟

在常规混合模式晶体管的基础上 ,提出了一种新的器件结构—— Si- Ge异质结基区 Bi-MOS混合模式晶体管 ( BMHMT)。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入的势垒提高 ,这样 ,一方面减小了空穴电流 IB,提高了注入效率 ;同时又增大了迁移率 ,从而提高特征频率。因此 ,这种器件具有 β高、基区电阻低。

NIDS中正则表达式数量限定符的电路设计与实现

针对网络入侵检测系统(NIDS)中复杂正则表达式匹配的数量限定符进行了硬件设计和实现。经过对这3种限定符匹配原理的分析,改变了以往的直接复制多个重复单元的实现方法,设计了一套完整的优化的数量限定符FPGA实现电路。实验测试结果表明,本设计每个非元字符平均大约需要0.92个逻辑单元,系统可以达到1.2 Gb/s的吞吐能力。

先驱体法制备PZT/ZrO_2复合陶瓷材料

研究了一种新的制备PZT/ZrO2复合陶瓷材料的方法。借助B位先驱体法,首先合成亚稳态的钙钛矿固溶体,在高温下ZrO2相从固溶体中析出得到PZT/ZrO2复合陶瓷材料。在冷却过程中,已在PZT晶粒内析出的ZrO2相发生四方到单斜的相变,伴随该相变的体积膨胀会对晶界产生压应力,起到强化晶界的作用,从而使陶瓷材料的力学性能得到明显提高。