期刊文献+
共找到35篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
Ge掺杂增强Ruddlesden-Popper结构准二维Sr_(3)Sn_(2)O_(7)陶瓷杂化非本征铁电性的物理机制
1
作者 肖志峰 王守宇 +3 位作者 戴雅婷 康新淼 张振华 刘卫芳 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第14期246-257,共12页
准二维的杂化非本征铁电体在实现强磁电耦合的单相室温多铁性方面具有很大的潜力,然而此类陶瓷样品通常有着较高的矫顽场和较低的剩余极化强度,严重阻碍了对其的研究和应用.本文成功制备了质量高且单相性较好的具有准二维结构的双层R-P(... 准二维的杂化非本征铁电体在实现强磁电耦合的单相室温多铁性方面具有很大的潜力,然而此类陶瓷样品通常有着较高的矫顽场和较低的剩余极化强度,严重阻碍了对其的研究和应用.本文成功制备了质量高且单相性较好的具有准二维结构的双层R-P(Ruddlesden-Popper)型氧化物Sr_(3)Sn_(2–x)Ge_(x)O_(7)陶瓷样品,观察到了较高的剩余极化和与Sr_(3)Sn_(2)O_(7)单晶接近的矫顽场.微量Ge元素对B位Sn掺杂后极化强度显著增强,同时进一步降低了Sr_(3)Sn_(2)O_(7)样品的矫顽场.结合晶格动力学研究,对样品的拉曼和红外光谱进行标定,得出掺杂样品铁电性能的增强可能源于氧八面体倾侧幅度的增大和旋转幅度减小.Berry相位法和玻恩有效电荷模型进一步证实了铁电性能的增强.通过紫外可见光光度计测试得到Sr_(3)Sn_(2)O_(7)样品的光学带隙为3.91 eV,采用Becke-Johnson势结合局部密度近似(MBJ-LDA)所计算的结果与实验基本一致.总之,这项研究为此类杂化非本征铁电体的制备及铁电性能的调控提供了参考,有望促进铁电陶瓷在各种电容器和非易失性存储器件中的广泛应用. 展开更多
关键词 Sr_(3)Sn_(2)O_(7) 杂化非本征铁电性 氧八面体倾转 第一性原理计算
下载PDF
综合研究性实验试题D:铁电材料的特性及其对半导体电阻的调控
2
作者 金朝 庞海 +1 位作者 杨洋 冯列峰 《物理实验》 2021年第12期29-34,共6页
介绍了第7届全国大学生物理实验竞赛综合研究性实验试题D的命题背景、实验内容和答案,并给出了学生参赛结果分析.综合研究性实验试题D为铁电材料的特性及其对半导体电阻的调控,试题围绕物理学研究热点“多铁性及其电场调控”进行设计.... 介绍了第7届全国大学生物理实验竞赛综合研究性实验试题D的命题背景、实验内容和答案,并给出了学生参赛结果分析.综合研究性实验试题D为铁电材料的特性及其对半导体电阻的调控,试题围绕物理学研究热点“多铁性及其电场调控”进行设计.试题包含2部分内容:理解并测量铁电材料的电滞回线,研究铁电材料的剩余铁电极化对复合半导体薄膜材料电阻特性的调控.试题重点考察学生对研究背景与实验内容的理解,对实验仪器的操作,对实验结果的分析等综合能力. 展开更多
关键词 电滞回线 电阻调控 铁电材料 半导体材料
下载PDF
自旋旋电子学材料:Fe_4N薄薄膜及其异质结构 被引量:2
3
作者 米文博 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2015年第4期145-176,共32页
本文综述了在自旋电子学器件上具有潜在应用前景的钙钛矿结构的Fe4N薄膜及其异质结构的研究成果和最新进展情况。文章从引言开始,介绍了钙钛矿结构Fe4N的晶体结构和基本性质;之后对多晶Fe4N薄膜、外延Fe4N薄膜、Fe4N/Co N双层膜、Fe4N/A... 本文综述了在自旋电子学器件上具有潜在应用前景的钙钛矿结构的Fe4N薄膜及其异质结构的研究成果和最新进展情况。文章从引言开始,介绍了钙钛矿结构Fe4N的晶体结构和基本性质;之后对多晶Fe4N薄膜、外延Fe4N薄膜、Fe4N/Co N双层膜、Fe4N/Alq3/Co自旋阀、以Fe4N为电极的隧道结的形貌、晶体结构、磁性、交换偏置、自旋相关的电输运特性和磁电阻效应进行了介绍;最后对Fe4N材料的相关研究结果进行了简单的总结和展望。 展开更多
关键词 自旋电子学 Fe4N薄膜 自旋阀 隧道结 表面形貌 晶体结构 磁性质 电输运特 磁电阻效应
下载PDF
电催化过氧化氢还原的纳米材料作为潜在的辐射防护剂(英文) 被引量:1
4
作者 贾瑞虹 张瑾轩 +1 位作者 张晓东 李美仙 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期340-348,共9页
纳米材料由于独特的物理化学性质,在生物医学领域显示出许多潜在的应用前景,诸如医学成像、药物输运和生物传感等.这篇综述总结了对过氧化氢和氧还原表现出好的电催化活性的一些纳米材料显示了辐射防护性能.作者讨论了这些纳米材料的辐... 纳米材料由于独特的物理化学性质,在生物医学领域显示出许多潜在的应用前景,诸如医学成像、药物输运和生物传感等.这篇综述总结了对过氧化氢和氧还原表现出好的电催化活性的一些纳米材料显示了辐射防护性能.作者讨论了这些纳米材料的辐射防护性能来源于它们的类酶活性,因为它们的催化性质表现为和活性氧的快速反应,为清除体内的自由基提供了一条有效通道.作者也提出了纳米材料的电催化活性和作为临床转化关键的辐射防护性能之间关系的见解.最后,作者指出了这些纳米材料作为新的辐射防护剂用于辐射防护治疗辅助成份所面临的挑战和将来的研究方向. 展开更多
关键词 纳米材料 电催化 过氧化氢 辐射防护剂 活性氧
下载PDF
三维a-IGZO薄膜中的电子—电子散射
5
作者 张辉 杨洋 李志青 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第16期205-210,共6页
本文利用射频磁控溅射法制备了一系列厚度约800 nm的非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜,并对其电输运性质和低温的电子退相干机理进行了系统的研究.研究发现,所有a-IGZO薄膜中,载流子浓度均不随温度变化,高温区的电阻-温度系数为正,说明样... 本文利用射频磁控溅射法制备了一系列厚度约800 nm的非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜,并对其电输运性质和低温的电子退相干机理进行了系统的研究.研究发现,所有a-IGZO薄膜中,载流子浓度均不随温度变化,高温区的电阻-温度系数为正,说明样品具有类金属导电特性.通过对薄膜低温磁电阻的测量,获得了电子退相干散射率与温度的关系.分析表明,薄膜中电子-声子散射率远小于小能量转移电子-电子散射率,小能量转移电子-电子散射率主导电子退相干散射率与温度的依赖关系. 展开更多
关键词 电子散射 弱局域效应 电子输运性质
下载PDF
射频磁控溅射氧气流量对制备的Ga_(2)O_(3)∶Cr薄膜光致发光性能的影响
6
作者 赵鑫 刘粉红 +1 位作者 张晓东 刘昌龙 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第8期1353-1360,共8页
在不同氧气流量下,采用双靶射频磁控共溅射的方法在蓝宝石(α-Al_(2)O_(3))基底上制备得到系列掺Cr的Ga_(2)O_(3)(Ga_(2)O_(3)∶Cr)薄膜,详细研究了薄膜在900℃退火前后的结构和光学性能。结果表明,未退火的Ga_(2)O_(3)∶Cr薄膜为非晶结... 在不同氧气流量下,采用双靶射频磁控共溅射的方法在蓝宝石(α-Al_(2)O_(3))基底上制备得到系列掺Cr的Ga_(2)O_(3)(Ga_(2)O_(3)∶Cr)薄膜,详细研究了薄膜在900℃退火前后的结构和光学性能。结果表明,未退火的Ga_(2)O_(3)∶Cr薄膜为非晶结构,其发光主要位于蓝绿波段。经900℃退火后,薄膜的结构由非晶变为多晶,且在近红外波段观测到了来源于Cr^(3+)掺杂的发光。退火后的薄膜结晶质量和近红外发光均与氧气流量密切相关,而其光学带隙不受氧气流量的影响。在所研究的氧气流量范围,4 mL/min氧气流量下薄膜的近红外发光强度最强,这与此条件下薄膜结晶质量较好以及Cr^(3+)替代Ga 3+的数量较多有关。以上研究成果可为制备高质量Ga_(2)O_(3)∶Cr薄膜提供参考。 展开更多
关键词 Ga_(2)O_(3)∶Cr薄膜 射频磁控溅射 蓝宝石基底 氧气流量 退火 光学性能 结晶质量
下载PDF
TiO薄膜的制备及电输运性质 被引量:1
7
作者 蔡文博 杨洋 李志青 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第22期262-269,共8页
利用磁控溅射技术,通过改变氧分压在MgO (001)单晶基片上外延生长了一系列TiO薄膜,并对薄膜的结构、价态和电输运性质进行了系统研究. X射线衍射结果表明,所制备的薄膜具有岩盐结构,沿[001]晶向外延生长. X射线光电子能谱结果表明,薄膜... 利用磁控溅射技术,通过改变氧分压在MgO (001)单晶基片上外延生长了一系列TiO薄膜,并对薄膜的结构、价态和电输运性质进行了系统研究. X射线衍射结果表明,所制备的薄膜具有岩盐结构,沿[001]晶向外延生长. X射线光电子能谱结果表明,薄膜中Ti元素主要以二价形式存在.所有样品均具有负的电阻温度系数,高氧分压下制备的薄膜表现出绝缘体的导电性质,低温下电阻与温度的关系遵从变程跳跃导电规律.低氧分压下制备的薄膜具有金属导电性质,并具有超导电性,超导转变温度最高可达3.05 K.所有样品均具有较高的载流子浓度,随着氧分压的降低,薄膜的载流子类型由电子主导转变为空穴主导.氧含量的降低可能加强了TiO中Ti—Ti键的作用,从而使低氧分压下制备的样品显现出与金属Ti相似的电输运性质,薄膜超导转变温度的提升可能与晶体结构或电子结构突变相关联. 展开更多
关键词 钛氧化物薄膜 磁控溅射 电输运性质 超导电性
下载PDF
La掺杂BaSnO_(3)薄膜的低温电输运性质
8
作者 杨健 高矿红 李志青 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第22期255-261,共7页
利用射频磁控溅射技术在MgO(001)单晶基片上沉积了一系列Ba_(0.94)La_(0.06)SnO_(3)薄膜,并对薄膜的结构和电输运性质进行了系统研究.所有薄膜均表现出简并半导体(金属)导电特性:在T>Tmin的高温区(Tmin为电阻最小值对应的温度),薄膜... 利用射频磁控溅射技术在MgO(001)单晶基片上沉积了一系列Ba_(0.94)La_(0.06)SnO_(3)薄膜,并对薄膜的结构和电输运性质进行了系统研究.所有薄膜均表现出简并半导体(金属)导电特性:在T>Tmin的高温区(Tmin为电阻最小值对应的温度),薄膜的电阻率随温度的升高而升高,并且与温度的平方呈线性关系.在T<Tmin的低温区域,薄膜的电阻率随温度降低而上升,并且电阻率随lnT呈线性变化,均匀无序系统中的电子-电子相互作用、弱局域效应以及Kondo效应均不能解释这种现象.经过定量分析,发现电阻率在低温下lnT的依赖关系源于颗粒间电子的库仑相互作用.同时,在Ba_(0.94)La_(0.06)SnO_(3)薄膜中也观察到霍尔系数RH与lnT呈线性关系,并且该线性关系也定量的符合金属颗粒体系中库仑相互作用的理论.薄膜断面高分辨透射电子显微镜结果表明,虽然薄膜整体呈现外延结构,但其中存在诸多条状非晶区域,这使得薄膜整体表现出类似金属颗粒膜的电输运性质.本文的结果为金属颗粒系统中库仑相互作用对电导率和霍尔系数修正理论的正确性提供了有力的支持. 展开更多
关键词 透明导电氧化物 金属颗粒系统 电子-电子相互作用 电输运性质
下载PDF
Single-atom catalysts based on polarization switching of ferroelectric In_(2)Se_(3) for N_(2) reduction
9
作者 Nan Mu Tingting Bo +3 位作者 Yugao Hu Ruixin Xu Yanyu Liu Wei Zhou 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE CAS CSCD 2024年第8期244-257,共14页
The polarization switching plays a crucial role in controlling the final products in the catalytic pro-cess.The effect of polarization orientation on nitrogen reduction was investigated by anchoring transition metal a... The polarization switching plays a crucial role in controlling the final products in the catalytic pro-cess.The effect of polarization orientation on nitrogen reduction was investigated by anchoring transition metal atoms to form active centers on ferroelectric material In_(2)Se_(3).During the polariza-tion switching process,the difference in surface electrostatic potential leads to a redistribution of electronic states.This affects the interaction strength between the adsorbed small molecules and the catalyst substrate,thereby altering the reaction barrier.In addition,the surface states must be considered to prevent the adsorption of other small molecules(such as *O,*OH,and *H).Further-more,the V@↓-In_(2)Se_(3) possesses excellent catalytic properties,high electrochemical and thermody-namic stability,which facilitates the catalytic process.Machine learning also helps us further ex-plore the underlying mechanisms.The systematic investigation provides novel insights into the design and application of two-dimensional switchable ferroelectric catalysts for various chemical processes. 展开更多
关键词 In_(2)Se_(3) monolayer Density functional theory Ferroelectric switching Single atom catalysts Nitrogen reduction reaction Machine learning
下载PDF
40 keV He离子注入单晶Si引起的损伤效应研究 被引量:3
10
作者 刘昌龙 王卓 +2 位作者 尹立军 吕依颖 张晓东 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期269-272,共4页
室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×1016 cm-2,分别采用透射电子显微镜(TEM)、热解吸谱仪(THDS)、光致发光谱仪(PL)详细地研究了随后热处理过程中He注入空腔的形成、He气体原子的热释放以及注入损伤引起的光致发光特... 室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×1016 cm-2,分别采用透射电子显微镜(TEM)、热解吸谱仪(THDS)、光致发光谱仪(PL)详细地研究了随后热处理过程中He注入空腔的形成、He气体原子的热释放以及注入损伤引起的光致发光特性。结果表明,He离子注入及随后的高温热处理会在单晶Si中产生宽度约为220nm的空腔带,同时伴随着He气体原子从注入产生的缺陷中释放出来。He气体原子的热释放可以明显地分为两个温度阶段,分别对应于He原子从小的空位型缺陷和大的空腔中的热释放。此外,He离子的注入还会在单晶Si中产生明显发光中心,导致了波长约为680nm和930nm的两个光致发光带。该光致发光带的出现可能跟He离子注入及退火过程中产生的纳米Si团簇有关。 展开更多
关键词 单晶Si He离子注入 空腔 He原子热释放 光致发光
下载PDF
剩余应变对半导体量子点边带能影响的数值分析
11
作者 杨红波 俞重远 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期2476-2479,共4页
从弹性力学的理论出发,导出了应变对量子点各边带能级影响改变量的表达式,以有限元法计算了量子点的应变;结合应变能改变量表达式给出了应变作用下各边带能改变量的变化曲线,指出应变使量子点导带级平行移动,且移动的数值只与材料的性... 从弹性力学的理论出发,导出了应变对量子点各边带能级影响改变量的表达式,以有限元法计算了量子点的应变;结合应变能改变量表达式给出了应变作用下各边带能改变量的变化曲线,指出应变使量子点导带级平行移动,且移动的数值只与材料的性质有关;应变作用下重空穴带和轻空穴带发生分裂,分裂的大小与材料的性质和量子点的形状都有关. 展开更多
关键词 量子点 剩余应变 边带能 有限元法
下载PDF
沉积气压对氮化硼薄膜场发射特性的影响
12
作者 李卫青 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期352-356,共5页
利用等离子体增强脉冲激光沉积系统,在n型Si(100)基底上沉积了不同沉积气压下的纳米BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)对BN薄膜进行了表征。通过原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌。在超高真空(<5.0×10-7Pa)情况下测量了薄膜的场... 利用等离子体增强脉冲激光沉积系统,在n型Si(100)基底上沉积了不同沉积气压下的纳米BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)对BN薄膜进行了表征。通过原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌。在超高真空(<5.0×10-7Pa)情况下测量了薄膜的场致发射特性。实验结果表明,沉积气压对BN薄膜的场发射特性影响很大。BN薄膜的阈值电场随着沉积气压的升高而升高,发射极限电流随着沉积气压的升高而较小,但耐压特性提高。沉积气压为2Pa时沉积的BN薄膜的场发射的阈值电场最低,为12V/μm,当电场升高到27V/μm时,场发射电流密度为140.6μA/cm2;当沉积气压升高到5Pa时,阈值电场升高为26V/μm,当电场升高到59V/μm时,发射电流密度为187.5μA/cm2;沉积气压升高到15Pa时的样品的阈值电场已经高达51V/μm。所有BN薄膜的F-N曲线都符合F-N理论,表明电子发射是通过隧穿表面势垒完成的。 展开更多
关键词 射频等离子体 氮化硼薄膜 场发射特性 阈值电场
下载PDF
ZnO纳米阵列增强大功率蓝光LED出光效率的研究 被引量:3
13
作者 徐冰 赵俊亮 +3 位作者 张检明 孙小卫 诸葛福伟 李效民 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期716-720,共5页
采用低成本的化学溶液法在大功率GaN基蓝光LED芯片上生长ZnO纳米阵列,以提高LED芯片的出光效率.通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性,进而得到不同形貌的ZnO纳米阵列.在此基础上,进一步研究纳米结构形貌... 采用低成本的化学溶液法在大功率GaN基蓝光LED芯片上生长ZnO纳米阵列,以提高LED芯片的出光效率.通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性,进而得到不同形貌的ZnO纳米阵列.在此基础上,进一步研究纳米结构形貌对LED芯片出光性能的影响,探讨纳米结构增强LED芯片发光效率的机理.结果表明,较高密度、锥形形貌的ZnO纳米阵列更有利于增强LED芯片的出光效率.在优化的实验条件下,表面沉积ZnO纳米阵列的LED芯片比普通LED的出光效率高出60%以上,并且纳米阵列不影响LED器件的电学性能和发光稳定性. 展开更多
关键词 ZnO纳米阵列 大功率LED芯片 出光效率 化学溶液法
下载PDF
Effects of Zn addition on mechanical properties of eutectic Sn-58Bi solder during liquid-state aging 被引量:10
14
作者 马东亮 吴萍 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第4期1225-1233,共9页
Interfacial reaction, tensile strength and creep resistance of Sn-58Bi-x Zn(x=0, 0.7, mass fraction, %) solder samples during liquid-state aging were investigated. The coarsening of Bi and the growth of Cu-Sn intermet... Interfacial reaction, tensile strength and creep resistance of Sn-58Bi-x Zn(x=0, 0.7, mass fraction, %) solder samples during liquid-state aging were investigated. The coarsening of Bi and the growth of Cu-Sn intermetallic compounds(IMCs) in Sn-58Bi-0.7Zn solder sample were both effectively suppressed. With the addition of 0.7% Zn, ultimate tensile strengths(UTSs) of the Sn-58 Bi solder slabs were respectively increased by 6.05% and 5.50% after reflow soldering and liquid-state aging, and those of the Cu/Sn-58Bi/Cu solder joints were also increased by 21.51% and 29.27%, respectively. The increase in strengthening effect of Cu/Sn-58Bi-x Zn/Cu solder joints could be attributed to the fracture surface which was changed from the Cu/IMC interface to the IMC/solder interface due to the finer Bi grain. Nanoindentation results revealed that the creep behavior of Sn-58Bi-0.7Zn solder was significantly improved compared with that of the eutectic Sn-58 Bi solder after reflow soldering and liquid-state aging. 展开更多
关键词 ZN Sn-Bi solder liquid-state aging reflow soldering creep
下载PDF
Ag离子注入ZnO薄膜对其发光性质的影响 被引量:1
15
作者 李浩 刘昌龙 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期23-30,共8页
采用磁控溅射技术在蓝宝石基底上制备了Zn O薄膜,并对样品在氧气氛下进行了热处理,然后采用不同能量、剂量的Ag离子注入Zn O薄膜中,形成Ag纳米颗粒。利用X射线衍射、光致发光、紫外可见吸收等技术详细地研究了样品的结构与发光性质。结... 采用磁控溅射技术在蓝宝石基底上制备了Zn O薄膜,并对样品在氧气氛下进行了热处理,然后采用不同能量、剂量的Ag离子注入Zn O薄膜中,形成Ag纳米颗粒。利用X射线衍射、光致发光、紫外可见吸收等技术详细地研究了样品的结构与发光性质。结果表明,未注入的Zn O薄膜在380 nm和610 nm处出现发光峰,分别对应Zn O激子峰与深能级缺陷峰。Ag离子注入Zn O样品的激子发光峰增强,并在400 nm和430 nm左右处出现新发光峰,同时深能级缺陷引起的发光峰减弱。在N2气氛下退火处理后,Ag离子注入Zn O样品在400 nm处的发光峰消失,430 nm左右发光峰减弱。Ag离子注入Zn O薄膜中合成了Ag纳米颗粒,观察到了Ag纳米颗粒的等离子共振效应。对Ag纳米颗粒和离子注入产生的缺陷、Zn O发光性质的影响给出了解释。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 AG纳米颗粒 离子注入 缺陷 光致发光
下载PDF
缺陷诱导的Cr掺杂TiO_2纳米粉末的铁磁性 被引量:1
16
作者 赵倩 吴萍 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1098-1102,共5页
用溶胶-凝胶法制备了金红石Ti1-x Crx O2(x=0、0.04、0.08)纳米粉末。磁性测量结果显示,制备的Cr掺杂金红石TiO2纳米粉末具有室温铁磁性,样品x=0.04和0.08的饱和磁化强度Ms分别为0.55×10-3和1.6×10-3emu/g,(emu/g=4π×10... 用溶胶-凝胶法制备了金红石Ti1-x Crx O2(x=0、0.04、0.08)纳米粉末。磁性测量结果显示,制备的Cr掺杂金红石TiO2纳米粉末具有室温铁磁性,样品x=0.04和0.08的饱和磁化强度Ms分别为0.55×10-3和1.6×10-3emu/g,(emu/g=4π×10 7Wb m/kg)矫顽力Hc分别为220和40 Oe(Oe=10(4π)A/m)。Cr掺杂量较大的样品的饱和磁化强度较大,在Ar气中退火可以使粉末呈超顺磁性。Cr2p区域的密集扫描X射线光电子能谱(XPS)分析显示,在所有的样品中Cr都是以Cr3+存在。电子顺磁共振谱(EPR)分析表明,样品中的Cr3+离子仅对其顺磁性有贡献。这些结果提示,粉末微弱的室温铁磁性来源于掺杂引入的结构缺陷,其中,氧空位起重要作用。 展开更多
关键词 Cr掺杂TiO2纳米粉末 室温铁磁性 结构缺陷 氧空位
下载PDF
Lieb莫尔光子晶格及其光子学特性研究 被引量:1
17
作者 张钰 高美妮 +2 位作者 戴海涛 刘迎 吕且妮 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期214-221,共8页
受到电子学领域双层扭曲石墨烯的启发,莫尔光子晶格的多种莫尔构型被证明具有光子局域等特性。将两个相同周期的Lieb子晶格旋转角36.87°叠加构造了Lieb莫尔晶格,并基于平面波展开法计算了其能带结构。结果表明,相比于常规的Lieb晶... 受到电子学领域双层扭曲石墨烯的启发,莫尔光子晶格的多种莫尔构型被证明具有光子局域等特性。将两个相同周期的Lieb子晶格旋转角36.87°叠加构造了Lieb莫尔晶格,并基于平面波展开法计算了其能带结构。结果表明,相比于常规的Lieb晶格,Lieb莫尔晶格的无量纲化光子禁带宽度最高可增加0.25,并且禁带中心发生了蓝移,因而更适合在光通信领域的应用。数值计算结果表明在Lieb莫尔晶格的能带结构中还具有平带,其特性可通过改变介质柱的几何参数进行调控,最高平整度可达到0.0018722。通过计算平整度最高时的电场分布,发现了局域的现象。基于Lieb晶格的莫尔构型可为光子晶体研究提供新的方法,也为研究复杂光子晶体结构提供新的平台。 展开更多
关键词 光子晶体 光子莫尔晶格 平面波展开法 禁带 电场局域
下载PDF
Ti离子注入SiO_2合成TiO_2纳米颗粒及其光学性质
18
作者 刘晓雨 穆晓宇 +1 位作者 贾光一 刘昌龙 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 2016年第2期42-48,共7页
将105 keV的Ti离子注入到SiO_2玻璃至1×10^(17)、2×10^(17) cm^(-2),并在氧气气氛下进行热处理,借助紫外可见分光光度计、掠入射X射线衍射光谱仪、透射电子显微镜、原子力显微镜等多种测试仪器,详细研究了Ti O2纳米颗粒的形... 将105 keV的Ti离子注入到SiO_2玻璃至1×10^(17)、2×10^(17) cm^(-2),并在氧气气氛下进行热处理,借助紫外可见分光光度计、掠入射X射线衍射光谱仪、透射电子显微镜、原子力显微镜等多种测试仪器,详细研究了Ti O2纳米颗粒的形成、结构、分布及其光吸收和催化性能。研究结果表明,高注量Ti离子注入结合氧气气氛热处理可以在SiO_2基底中形成TiO_2纳米颗粒,并以金红石相为主。合成的TiO_2纳米颗粒的形貌明显依赖于离子的注量,随离子注量增加,形状不规则且分散排列的TiO_2纳米颗粒会转变成尺寸较为均匀、分布致密的纳米颗粒,进而形成了TiO_2类颗粒膜结构。另外,光催化降解实验结果表明,合成的纳米颗粒对罗丹明B溶液具有一定的降解作用。 展开更多
关键词 离子注入 TIO2纳米颗粒 热退火 类颗粒膜
下载PDF
高催化活性Pt纳米颗粒的生物毒性研究
19
作者 王靖雅 龙伟 +1 位作者 王骏滢 孙元明 《生物医学工程与临床》 CAS 2019年第1期1-7,共7页
目的探究一种具有高催化活性的新型金属铂(Pt)纳米颗粒的生物毒性作用。方法选择C57BL/6雄性小鼠(SPF级)52只,鼠龄6~8周,体质量22~24 g。采用"一锅合成法"合成六面体状金属Pt纳米颗粒。将中国仓鼠卵巢(CHO)细胞与质量浓度0、... 目的探究一种具有高催化活性的新型金属铂(Pt)纳米颗粒的生物毒性作用。方法选择C57BL/6雄性小鼠(SPF级)52只,鼠龄6~8周,体质量22~24 g。采用"一锅合成法"合成六面体状金属Pt纳米颗粒。将中国仓鼠卵巢(CHO)细胞与质量浓度0、0.4、1.2、3.7、11.0、33.0、100.0、300.0μg/mL Pt纳米颗粒溶液共培养,采用噻唑蓝(MTT)法测定细胞存活率、细胞毒性、细胞活性氧簇(ROS)变化。将小鼠分3批次(每批次为20、16、16只),按体质量随机分为正常对照组和实验组,测量小鼠30 d体质量变化、骨髓DNA和骨髓有核细胞(BMNC)数量、小鼠肝脏超氧化物歧化酶(SOD)和丙二醛(MDA)水平、Pt元素在小鼠体内的生物分布、血常规和生物化学指标及对主要脏器的病理分析,分析Pt纳米颗粒对小鼠的生物毒性作用。结果 Pt纳米颗粒尺寸为(8.58±1.23) nm,晶格间隙为0.227 nm,呈面心立方晶格。体外研究结果表明,质量浓度300.0μg/mL Pt纳米颗粒溶液作用24、48 h,CHO细胞存活率85%、90%。质量浓度50.0μg/mL Pt纳米颗粒溶液可抑制细胞内ROS的产生。动物研究结果表明,质量浓度5 mg/mL Pt纳米颗粒溶液可使正常C57BL/6小鼠出现短暂的体质量下降(给药后15 d左右可恢复正常);作用30 d后,大部分聚集于肝脏及脾脏,与正常小鼠相比,实验小鼠只在肝脏组织中发现轻微炎症。实验小鼠血常规、生物化学指标未发现明显差异性变化;DNA和BMNC数量均出现轻微减少;Pt纳米颗粒溶液体内作用7 d后,肝脏组织的MDA水平出现轻微降低现象,而SOD活性未出现明显改变。结论质量浓度300.0μg/mL以下的Pt纳米颗粒溶液对CHO细胞无明显细胞毒作用,而质量浓度5 mg/mL Pt纳米颗粒溶液对小鼠虽然具有急性氧化应激毒理作用,但其毒理效应可在30 d内由生物体自行调节而恢复。 展开更多
关键词 铂(Pt) 纳米材料 氧化应激 生物学毒性 细胞相容性
下载PDF
Verwey相变处Fe3O4的结构、磁性和电输运特性 被引量:1
20
作者 刘祥 米文博 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期53-69,共17页
作为典型的金属–绝缘体转变,Fe3O4的Verwey相变蕴涵的丰富物理现象与微观机制,因而受到了人们的广泛关注.在Verwey相变处,Fe3O4的晶体结构、电子结构以及磁各向异性等均发生转变,但其磁基态并未发生改变.与其他强关联体系相比,Fe3O4的V... 作为典型的金属–绝缘体转变,Fe3O4的Verwey相变蕴涵的丰富物理现象与微观机制,因而受到了人们的广泛关注.在Verwey相变处,Fe3O4的晶体结构、电子结构以及磁各向异性等均发生转变,但其磁基态并未发生改变.与其他强关联体系相比,Fe3O4的Verwey相变不需要考虑磁交换耦合作用的变化,有利于揭示强关联体系中金属–绝缘体转变的物理本质.本文从晶体结构、电荷有序、电输运特性、磁性和铁电特性等方面简要地介绍了Fe3O4的Verwey相变的研究历史和现状. 展开更多
关键词 FE3O4 Verwey相变 电荷有序 磁各向异性
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部