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Si基底上TiN膜不同参数(分压,膜厚,束流强度)下的PAT缺陷分析 被引量：2
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作者 冯宏剑 赵杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期2138-2140,共3页
用IBAD(ion beam assisted deposition)方法镀TiN膜不但有很好的膜基结合力,而且纳米硬度、耐腐、耐磨性能可通过高低能结合的方法来提高.本文作者用PAT(positron annihilation technique)技术分析了在同一高低能条件下不同参数对Si基... 用IBAD(ion beam assisted deposition)方法镀TiN膜不但有很好的膜基结合力,而且纳米硬度、耐腐、耐磨性能可通过高低能结合的方法来提高.本文作者用PAT(positron annihilation technique)技术分析了在同一高低能条件下不同参数对Si基底的缺陷的影响,解释并论证了改进实验的方法. 展开更多
关键词 IBAD PAT 缺陷
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