硫脲浓度对Zn-O-S薄膜的影响

以化学水浴法制备Zn-O-S薄膜,82℃条件下,先在烧杯中依次加入硫酸锌、硫酸铵、氨水,再加入不同浓度的硫脲后,得到Zn-O-S薄膜。使用台阶仪、扫描电镜、X射线衍射、紫外分光光度计对样品进行表征分析,得到薄膜的厚度、结晶形貌、物相特征、光学特性等,利用Tauc公式,导入外推切线得到样品的光学带隙,通过这些信息分析硫脲浓度对样品的影响。当硫脲浓度为0.167 mol/L时,衬底上晶粒紧密孔隙小、杂质少,ZnO纳米棒、大尺寸晶粒都最少;XRD衍射图谱中,在28.5°及31°附近出现明显的衍射峰,分别对应(111)晶向的ZnS和(100)晶向的ZnO;该条件下样品的光学带隙为3.52 eV,是最低的。