PVA栅绝缘层浓度对P3HT有机场效应晶体管性能的影响(英文)

采用溶液制备法制备了用PVA作为绝缘层、P3HT作为有源层的有机场效应晶体管,研究了不同浓度PVA栅绝缘层对器件性能的影响。实验结果显示,以质量分数为8%的PVA溶液制备的栅绝缘层具有最好的性能,器件的场效应迁移率为0.31 cm2·V-1·s-1,阈值电压为-6 V。进一步分析了PVA栅绝缘层浓度对器件性能提高的原因,结果表明,对于制备溶液化的有机场效应晶体管,选取合适的PVA栅绝缘层浓度非常重要。

基于蛋清栅绝缘层的高性能C_(60)有机场效应晶体管(英文)

采用生物材料(蛋清)作为栅绝缘层制备了基于C60为有源层的有机场效应晶体管。器件展现出了合理的电学特性,场效应迁移率和阈值电压分别为2.59 cm2·V-1·s-1和1.25 V。有机场效应晶体管展现良好性能的原因是蛋清具有较高的介电常数及热退火后形成的光滑表面形貌。实验结果表明,对于制备有机场效应晶体管来说,蛋清是一种有前途的绝缘层材料。

衬底加热和电极修饰对提高有机场效应晶体管性能的影响

通过衬底加热和氧化钼(Mo O3)修饰源漏极制备了并五苯有机场效应晶体管。研究了衬底温度和电极修饰层厚度对器件性能的影响。实验结果表明:当衬底温度为60℃、Mo O3修饰层为10 nm时,器件性能获得了显著增强,场效应迁移率由原来的3.39×10-3cm2/(V·s)提高到2.25×10-1cm2/(V·s),阈值电压由12 V降低到3 V。器件性能的改善归因于:衬底加热可以优化有源层形貌,改善载流子传输;而Mo O3修饰层显著降低了电极与有源层之间的接触势垒,提高了载流子的注入。因此,衬底加热与电极修饰对于制备高性能有机场效应晶体管是不可或缺的优化手段。