用内凝胶法制备球形Y_2O_3-ZrO_2等离子喷涂粉料

以无机物为前驱物，用内凝胶法制备了适合于等离子喷涂的、粒径在10～50μm范围内的、用氧化钇稳定的氧化锆（YSZ）球形粉末，实验结果表明，通过改变乳化条件可以控制这种粉末的形貌、粒径和粒度分布．利用SEM和光学显微镜观察发现，用该方法得到的粉末主要是球形的，并且符合粒径分布的要求（5～50μm）．致密的球形粉末显示出良好的流动性．差热分析表明，用47mol％氧化钇稳定的氧化锆（YSZ）粉末在468℃有一放热峰，是YSZ粉末的相转变温度．XRD分析表明，上述粉末在800℃条件下煅烧可以得到100％非平衡四方相（t’）的YSZ粉末，没有单斜相存在．

氢化物电极失效原因探讨

采用Ｘ射线光电子能谱、扫描电镜、透射电镜及ＢＥＴ法测定比表面积，观察了两种不同组分贮氢合金电极（ＬａＭｍＮｉＣｏＭｎ和ＭｍＮｉＣｏＭｎＡｌ）在充放电过程中组成合金的元素、形貌及比表面积的变化，提出了贮氢合金电极失效原因及其历程。

英国要推进GaAs技术

英国要推进ＧａＡｓ技术伦敦Ｍｉｄｄｌｅｓｅｘ大学的微电子中心主任ＥｂｒａｈｉｍＢｕｓｈｅｈｒｉ说他认为英国还没全力发展ＧａＡｓ技术。＂欧洲在高速ＧａＡｓ数字电路及其设计理论上比英国更重视，投资更多。他的中心正与ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ的Ｆｒ...

FT─IR技术在半导体材料中的应用

介绍了ＦＴ－ＩＲ测量技术在半导体材料中的应用。对Ｓｉ、ＧａＡｓ等材料的试样制备、杂质缺陷的测量及光谱研究进行了全面报道。大量实验结果表明，该技术是研究半导体材料结构、成分、杂质和缺陷特性的有效方法。

半导体硅特性显微FTIR测量技术研究

本文针对大规模集成电路应用需要，采用显微付里叶变换红外光谱仪研究了硅中的氧、碳含量，硼、磷硅玻璃中的硼、磷含量及外延层厚度的微区测量技术，在光孔尺寸为１００×１００μｍ级时，测量精度达到国标的要求，空间分辨率提高了近两个数量级。

电渣熔铸35CrNi3MoV钢枝晶间断裂的俄歇分析

用扫描俄歇探针和金相法研究了电渣熔铸３５ＣｒＮｉ３ＭｏＶ钢断口上亮线、亮点的本质和形成机理。结果表明，它们是铪、氮、硫在枝晶间偏聚并形成ＨｆＮ从而脆化了枝晶间区域的结果。当裂纹沿着枝晶间的贝氏体条带扩展时就形成亮线，当裂纹斜穿贝氏体条带时就形成亮点。亮线（亮点）显著降低钢的力学性能，提高渣料纯度是避免电渣铸钢产生这种缺陷的关键措施。

MOS级盐酸和硝酸中钠的ICP发射光谱法测定的研究

采用等离子体发射光谱法测定了ＭＯＳ级盐酸和硝酸中钠的含量。采用了富集技术，研究了降低空白和降低检测限的措施，检测限达到０．０１μｇ／ｍＬ。

红外吸收微区测量技术在半导体材料中的应用

本文采用微孔遮挡近红外吸收法，对厚度为０．５ｍｍ左右薄片半绝缘（ＳＩ）－ＧａＡｓ中深施主ＥＬ＿２进行了直接测量，使用微机控制自动测量系统对ＳＩ－ＧａＡｓ晶片中的ＥＬ＿２浓度进行了微区分布测量，利用显微傅里叶变换红外光谱测量技术对硅外延层厚度，硅中间隙氧、替位砍含量，硼、磷、硅玻璃中的硼磷含量及薄片ＳＩ－ＧａＡＳ中替位碳含量进行了ＦＴ－ＩＲ显微测量。实验结果为研究半导体材料的微区特性和均匀性提供了可靠的依据。